[发明专利]用于稳定反应室压力的系统和方法

说明书

一种反应器系统，可以包括：第一气体源；第二气体源；以及反应室，该反应室流体联接到第一气体源和第二气体源，其中第一气体和第二气体可以分别从第一气体源和第二气体源供应到反应室，以实现反应室压力的稳定性。所述反应器系统还可以包括：排气管线，该排气管线流体联接至反应室并位于反应室下游；通风管线，该通风管线流体联接到第一和/或第二气体源，并且流体联接到排气管线，其中通风管线旁路反应室；联接到通风管线的压力监测器，该压力监测器配置成监测通风管线内的通风管线压力；和/或通风管线传导控制阀，该通风管线传导控制阀联接到通风管线并配置成响应于来自压力监测器的反馈而进行调节。

技术领域

本公开大体上涉及一种用于反应室的气体供应系统，具体地涉及一种在向反应室供应气体的同时稳定反应室压力的方法。

背景技术

反应室可用于将各种材料层沉积到半导体衬底上。衬底可置于反应室内部的接受器上。可将衬底和接受器两者都加热到所需的衬底温度设定点。在实例衬底处理工艺中，可使一种或多种反应气体越过被加热的衬底，从而致使材料薄膜沉积在衬底表面上。在整个后续沉积、掺杂、光刻、蚀刻和/或其它工艺期间，将这些层制成诸如集成电路的器件。

对于任何给定的工艺，反应气体和/或任何副产物气体然后可以经由真空排出和/或从反应室中吹扫。控制包括例如用于形成膜的反应气体的材料的流速和供应时间对于实现期望的结果和期望的器件稳定性是重要的。另外，在反应之前、反应期间和/或反应之后维持反应室内的基本上恒定的压力可促进在衬底上的所得沉积层中获得期望的结果。

发明内容

提供此概述是为了以简化的形式引入一系列概念。下文在本公开的示例实施例的详细描述中更详细地描述这些概念。本概述并非打算标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也并非打算用于限制所要求保护的主题的范围。

在一些实施例中，提供了反应器系统。本文公开的反应器系统可包括气体供应系统，该气体供应系统允许稳定反应器系统的反应室内的压力。因此，例如，在反应室内的工艺(诸如沉积、蚀刻或清洗过程)期间改变向反应室供应的气体可以不本质上影响反应室压力，从而允许对过程和其结果进行更多控制。

在各种实施例中，反应器系统可包括第一气体源；第一气体供应路径，所述第一气体供应路径流体联接到所述第一气体源；第二气体源；第二气体供应路径，所述第二气体供应路径流体联接到所述第二气体源；反应室，所述反应室流体联接到所述第一气体供应路径和所述第二气体供应路径，其中所述第一气体供应路径可以在第一气体供应路径端部处流体联接到所述反应室，并且所述第二气体供应路径可以在第二气体供应路径端部处流体联接到所述反应室，其中第一气体可以从所述第一气体源供应到所述反应室，并且第二气体可以从所述第二气体源供应到所述反应室以实现反应室压力的稳定性；排气管线，所述排气管线流体联接至所述反应室并位于所述反应室下游；通风管线，所述通风管线流体联接到所述第一气体供应路径和所述第二气体供应路径中的至少一者，并且流体联接到所述排气管线，其中所述通风管线旁路所述反应室；压力监测器，所述压力监测器联接到所述通风管线，所述压力监测器配置成监测所述通风管线内的通风管线压力；和/或通风管线传导控制阀，所述通风管线传导控制阀联接到所述通风管线，其中所述通风管线传导控制阀可以配置成响应于来自所述压力监测器的反馈而进行调节。

在各种实施例中，所述反应室可以经由腔室入口路径流体联接到所述第一气体供应路径和所述第二气体供应路径，其中所述第一气体供应路径可以在所述第一气体供应路径端部处流体联接到所述腔室入口路径，并且所述第二气体供应路径可以在所述第二气体供应路径端部处流体联接到所述腔室入口路径。在各种实施例中，所述第一气体供应路径可以包括第一气体主管线和第一气体分支管线，其中所述第一气体主管线可以与所述反应室流体连通，并且其中所述第一气体分支管线可以与所述通风管线流体连通。在各种实施例中，所述第二气体供应路径可以包括第二气体主管线和第二气体分支管线，其中所述第二气体主管线可以与所述反应室流体连通，并且其中所述第二气体分支管线可以与所述通风管线流体连通。