[发明专利]具有使用内插器的堆叠器件芯片的三维存储器件

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

第一器件芯片，其包括：

外围器件；以及

第一芯片触点，其设置在所述第一器件芯片的表面上并且电连接至所述外围器件；

第二器件芯片，包括：

交替导体/电介质堆叠层以及竖直延伸通过所述交替导体/电介质堆叠层的存储器串；以及

第二芯片触点，其设置在所述第二器件芯片的表面上并且电连接至所述存储器串；以及

竖直设置在所述第一器件芯片和所述第二器件芯片之间的内插器，其包括内插器衬底、重新分布层以及设置在所述内插器的相对表面上的第一内插器触点和第二内插器触点，所述重新分布层设置在所述内插器衬底与所述第一内插器触点和所述第二内插器触点中的至少一个之间并且与所述第一内插器触点和所述第二内插器触点中的所述至少一个接触，

其中，所述第一器件芯片的所述外围器件和所述第二器件芯片的所述存储器串是竖直堆叠并使用所述内插器而电气和机械地连接的。

2.根据权利要求1所述的三维(3D)存储器件，其中，所述第二内插器触点通过所述内插器衬底电连接至所述第一内插器触点，其中，所述第一内插器触点附接至所述第一芯片触点，并且所述第二内插器触点附接至所述第二芯片触点。

3.根据权利要求2所述的三维(3D)存储器件，其中，所述第一芯片触点和所述第二芯片触点的至少其中之一或者所述第一内插器触点和所述第二内插器触点的至少其中之一包括导电凸块。

4.根据权利要求3所述的三维(3D)存储器件，其中，所述导电凸块的尺寸处于1μm和100μm之间。

5.根据权利要求2所述的三维(3D)存储器件，其中，所述第一芯片触点和所述第二芯片触点的至少其中之一或者所述第一内插器触点和所述第二内插器触点的至少其中之一包括导电焊盘。

6.根据权利要求5所述的三维(3D)存储器件，其中，所述导电焊盘的尺寸处于100nm和1μm之间。

7.根据权利要求2-6中的任何一项所述的三维(3D)存储器件，其中，所述第一芯片触点和所述第二芯片触点以及所述第一内插器触点和所述第二内插器触点中的每者包括导体。

8.根据权利要求2-6中的任何一项所述的三维(3D)存储器件，其中，所述内插器进一步包括：

第一通孔触点，其延伸通过所述内插器衬底并且电连接至所述重新分布层以及所述第一内插器触点和所述第二内插器触点中的另一个，以使所述第一内插器触点和所述第二内插器触点通过所述重新分布层和所述第一通孔触点电连接。

9.根据权利要求2-6中的任何一项所述的三维(3D)存储器件，其中，所述第二器件芯片进一步包括竖直延伸通过所述交替导体/电介质堆叠层的第二通孔触点，所述第二通孔触点包括与所述第二芯片触点接触的第一端。

10.根据权利要求9所述的三维(3D)存储器件，其中，所述第二器件芯片进一步包括与所述第二通孔触点的第二端接触的互连层。

11.根据权利要求1-6中的任何一项所述的三维(3D)存储器件，其中，所述第二芯片触点和所述存储器串设置在上面形成了所述交替导体/电介质堆叠层的芯片衬底的不同侧上。

12.根据权利要求1-6中的任何一项所述的三维(3D)存储器件，其中，所述第二芯片触点和所述存储器串设置在上面形成了所述交替导体/电介质堆叠层的芯片衬底的同一侧上。

13.根据权利要求1-6中的任何一项所述的三维(3D)存储器件，其中，所述第一芯片触点和所述外围器件设置在上面形成了所述外围器件的芯片衬底的不同侧上。