[发明专利]具有使用内插器的堆叠器件芯片的三维存储器件

说明书

公开了具有使用内插器的堆叠器件芯片的三维(3D)存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括第一和第二器件芯片以及其间的内插器。第一器件芯片包括外围器件以及处于所述第一器件芯片的表面上并且电连接至所述外围器件的第一芯片触点。第二器件芯片包括交替导体/电介质堆叠层、竖直延伸通过所述交替导体/电介质堆叠层的存储器串、以及处于所述第二器件芯片的表面上并且电连接至所述存储器串的第二芯片触点。所述内插器包括内插器衬底以及处于所述内插器的相对表面上并且通过所述内插器衬底相互电连接的第一和第二内插器触点。第一和第二内插器触点分别附接至所述第一和第二芯片触点。

本申请是申请日为2018年06月29日，发明名称为“具有使用内插器的堆叠器件芯片的三维存储器件”，申请号为201880000984.X的专利申请的分案申请。

背景技术

本公开的实施例涉及三维(3D)存储器件及其制造方法。

通过改进工艺技术、电路设计、程序设计算法和制造工艺使平面存储单元缩小到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得有挑战性，而且成本高。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。

3D存储器架构能够解决平面存储单元的密度限制。3D存储器架构包括存储器阵列以及用于控制到和来自存储器阵列的信号的外围器件。

发明内容

文中公开了具有使用内插器的堆叠器件芯片的3D存储器件及其制造方法的实施例。

在一个示例中，3D存储器件包括第一器件芯片、第二器件芯片、以及竖直设置在第一器件芯片和第二器件芯片之间的内插器。所述第一器件芯片包括外围器件以及设置在所述第一器件芯片的表面上并且电连接至所述外围器件的第一芯片触点。第二器件芯片包括交替导体/电介质堆叠层、竖直延伸通过所述交替导体/电介质堆叠层的存储器串、以及设置在所述第二器件芯片的表面上并且电连接至所述存储器串的第二芯片触点。所述内插器包括内插器衬底、设置在所述内插器的第一表面上的第一内插器触点、以及设置在所述内插器的与所述第一表面相对的第二表面上并且通过所述内插器衬底电连接至所述第一内插器触点的第二内插器触点。所述第一内插器触点附接至所述第一芯片触点，并且所述第二内插器触点附接至所述第二芯片触点。

在另一个示例中，3D存储器件包括第一器件芯片、第二器件芯片、以及竖直设置在第一器件芯片和第二器件芯片之间的内插器。所述第一器件芯片包括第一交替导体/电介质堆叠层、竖直延伸通过所述第一交替导体/ 电介质堆叠层的第一存储器串、以及设置在所述第一器件芯片的表面上并且电连接至所述第一存储器串的第一芯片触点。所述第二器件芯片包括第二交替导体/电介质堆叠层、竖直延伸通过所述第二交替导体/电介质堆叠层的第二存储器串、以及设置在所述第二器件芯片的表面上并且电连接至所述第二存储器串的第二芯片触点。所述内插器包括内插器衬底、设置在所述内插器的第一表面上的第一内插器触点、以及设置在所述内插器的与所述第一表面相对的第二表面上并且通过所述内插器衬底电连接至所述第一内插器触点的第二内插器触点。所述第一内插器触点附接至所述第一芯片触点，并且所述第二内插器触点附接至所述第二芯片触点。

在不同的示例中，公开了用于形成3D存储器件的方法。交替导体/电介质堆叠层形成在芯片衬底的第一侧。形成竖直延伸通过所述交替导体/电介质堆叠层的存储器串。芯片触点形成在所述芯片衬底的与所述第一侧相对的第二侧并且电连接至所述存储器串。第一内插器触点形成在内插器衬底的第一侧。第二内插器触点形成在内插器衬底的与第一侧相对的第二侧并且通过内插器衬底电连接至第一内插器触点。所述第一内插器触点附接至所述芯片触点。

在另一个示例中，公开了用于形成3D存储器件的方法。交替导体/电介质堆叠层形成在芯片衬底的第一侧。形成竖直延伸通过所述交替导体/电介质堆叠层的存储器串。芯片触点形成在所述芯片衬底的第一侧并且电连接至所述存储器串。第一内插器触点形成在内插器衬底的第一侧。第二内插器触点形成在内插器衬底的与第一侧相对的第二侧并且通过内插器衬底电连接至第一内插器触点。所述第一内插器触点附接至芯片触点。

附图说明