[发明专利]EUV光掩模及其制造方法

权利要求书

1.一种反射掩模，包括：

衬底；

反射多层，设置在所述衬底上；

帽盖层，设置在所述反射多层上；以及

吸收体层，设置在所述帽盖层上，

其中，所述吸收体层包括CrN层、氮浓度为10原子％至30原子％的CrON层、或氮浓度为10原子％至30原子％的CrCON层。

2.根据权利要求1所述的反射掩模，其中，所述吸收体层的厚度在从20nm至50nm的范围内。

3.根据权利要求1所述的反射掩模，其中，所述吸收体层包括氮浓度为16原子％至40原子％的CrN层。

4.根据权利要求3所述的反射掩模，其中，所述CrN层包括Cr相和Cr₂N相。

5.根据权利要求3所述的反射掩模，其中，所述CrN层由Cr₂N相组成。

6.根据权利要求3所述的反射掩模，其中，所述CrN层包括Cr₂N相和CrN相。

7.根据权利要求1所述的反射掩模，还包括：中间层，设置在所述帽盖层上。

8.根据权利要求7所述的反射掩模，其中，所述中间层包括下列项中的至少一项：TaB、TaO、TaBO或TaBN、硅、硅基化合物、钌、或钌基化合物。

9.一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：

在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括衬底、在所述衬底上的反射多层、在所述反射多层上的帽盖层、在所述帽盖层上的中间层、在所述中间层上的吸收体层、在所述吸收体层之上的第一硬掩模层、以及在所述第一硬掩模层上的第二硬掩模层；

图案化所述光致抗蚀剂层；

通过使用经图案化的光致抗蚀剂层，图案化所述第二硬掩模层；

通过使用经图案化的第二硬掩模层，图案化所述第一硬掩模层；

通过使用经图案化的第一硬掩模层和经图案化的第二硬掩模层，图案化所述吸收体层；以及

去除所述第一层硬掩模层，

其中，所述第二硬掩模层和所述吸收体层包括Cr基化合物，并且所述第一硬掩模层和所述中间层包括Ta基化合物。

10.一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：

在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括衬底、在所述衬底上的反射多层、在所述反射多层上的帽盖层、在所述帽盖层上的中间层、在所述中间层上的吸收体层、在所述吸收体层上的氧化物层、在所述氧化物层上的第一硬掩模层、以及在所述第一硬掩模层上的第二硬掩模层；

图案化所述光致抗蚀剂层；

通过使用经图案化的光致抗蚀剂层，图案化所述第二硬掩模层；

通过使用经图案化的第二硬掩模层，图案化所述第一硬掩模层；

通过使用经图案化的第一硬掩模层和经图案化的第二硬掩模层，图案化所述氧化物层和所述吸收体层；以及

图案化所述中间层。