[发明专利]EUV光掩模及其制造方法

说明书

本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。在一种制造反射掩模的方法中，在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层。掩模坯包括衬底、在衬底上的反射多层、在反射多层上的帽盖层、在帽盖层上的吸收体层、和硬掩模层，并且吸收体层由Cr、CrO或CrON制成。光致抗蚀剂层被图案化，硬掩模层通过使用经图案化的光致抗蚀剂层而被图案化，吸收体层通过使用经图案化的硬掩模层而被图案化，并且附加的元素被引入到经图案化的吸收体层来形成经转化的吸收体层。

技术领域

本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。

背景技术

光刻操作是半导体制造工艺中的关键操作之一。光刻技术包括紫外光刻、深紫外光刻和极紫外光刻(EUVL)。光掩模是光刻操作中的重要组件。制造具有包括高反射率部分和高吸收率部分的高对比度的EUV光掩模至关重要。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种反射掩模，包括：衬底；反射多层，设置在所述衬底上；帽盖层，设置在所述反射多层上；以及吸收体层，设置在所述帽盖层上，其中，所述吸收体层包括CrN层、氮浓度为10原子％至30原子％的CrON层、或氮浓度为10原子％至30原子％的CrCON层。

根据本公开的另一方面，提供了一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括衬底、在所述衬底上的反射多层、在所述反射多层上的帽盖层、在所述帽盖层上的中间层、在所述中间层上的吸收体层、在所述吸收体层之上的第一硬掩模层、以及在所述第一硬掩模层上的第二硬掩模层；图案化所述光致抗蚀剂层；通过使用经图案化的光致抗蚀剂层，图案化所述第二硬掩模层；通过使用经图案化的第二硬掩模层，图案化所述第一硬掩模层；通过使用经图案化的第一硬掩模层和经图案化的第二硬掩模层，图案化所述吸收体层；以及去除所述第一层硬掩模层，其中，所述第二硬掩模层和所述吸收体层包括Cr基化合物，并且所述第一硬掩模层和所述中间层包括Ta基化合物。

根据本公开的又一方面，提供了一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括衬底、在所述衬底上的反射多层、在所述反射多层上的帽盖层、在所述帽盖层上的中间层、在所述中间层上的吸收体层、在所述吸收体层上的氧化物层、在所述氧化物层上的第一硬掩模层、以及在所述第一硬掩模层上的第二硬掩模层；图案化所述光致抗蚀剂层；通过使用经图案化的光致抗蚀剂层，图案化所述第二硬掩模层；通过使用经图案化的第二硬掩模层，图案化所述第一硬掩模层；通过使用经图案化的第一硬掩模层和经图案化的第二硬掩模层，图案化所述氧化物层和所述吸收体层；以及图案化所述中间层。

附图说明

结合附图阅读时，从以下具体实施方式可以最好地理解本公开。需要强调的是，根据工业中的标准实践，各种结构未按比例绘制，并且仅用于说明目的。事实上，为了讨论的清楚，各种结构的尺寸可能被任意地增大或缩小。

图1A、图1B、图1C、图1D和图1E示出了根据本公开实施例的EUV光掩模坯(blank)。

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E和图2F示意性地示出了根据本公开实施例的EUV光掩模的制造方法。

图3A、图3B、图3C、图3D和图3E示意性地示出了根据本公开实施例的EUV光掩模的制造方法。

图4示出了根据本公开实施例的EUV光掩模的横截面图。

图5A、图5B和图5C示出了根据本公开另一实施例的吸收体层的多层结构的横截面图。

图6示出了根据本公开实施例的EUV光掩模的横截面图。

图7示出了根据本公开的实施例的制造用于EUV光掩模的掩模坯的流程图。

图8A示出了制造半导体器件的方法的流程图，并且图8B、图8C、图8D和图8E示出了根据本公开实施例的制造半导体器件的方法的顺序制造操作。

具体实施方式