[发明专利]能防除胶污染的退膜、除胶、化铜三合一工艺在审
| 申请号： | 202110042252.0 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112911804A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李齐良 | 申请（专利权）人： | 柏承科技（昆山）股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 污染 三合一 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种能防除胶污染的退膜、除胶、化铜三合一工艺，其特征在于步骤包括：
①镭射加工：对表面有铜层的PCB板的表面进行粗糙化处理，然后对PCB板进行镭射钻孔；
②微蚀：将已钻孔的PCB板浸入加有膜剥除剂的微蚀液中，微蚀的同时将棕化膜或粗化膜剥除；
③镀铜前处理：对PCB板连续完成除胶和化铜制程。
2.根据权利要求1所述的能防除胶污染的退膜、除胶、化铜三合一工艺，其特征在于：从微蚀到后续处理都采用同一条垂直输送线对PCB板进行输送。
3.根据权利要求1所述的能防除胶污染的退膜、除胶、化铜三合一工艺，其特征在于：所述粗糙化处理采用棕化剂或粗化剂。
4.根据权利要求1所述的能防除胶污染的退膜、除胶、化铜三合一工艺，其特征在于：所述微蚀液中包括5±2wt％硫酸、4±1wt％双氧水、4±1wt％膜剥除剂和小于40g/L的铜离子含量。
5.根据权利要求4所述的能防除胶污染的退膜、除胶、化铜三合一工艺，其特征在于：所述微蚀中的咬蚀量控制在10～15mil。
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