[发明专利]显示装置、发光二极管基板以及显示装置的制造方法有效
申请号: | 202110042784.4 | 申请日: | 2021-01-13 |
公开(公告)号: | CN112786756B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 林世雄;吴仰恩 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;H01L27/15 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 发光二极管 以及 制造 方法 | ||
本发明公开了一种显示装置,包括电路基板以及发光二极管。发光二极管的两个电极连接至电路基板的两个接垫。发光二极管的各电极包括第一导电层、阻障层以及金属层。第一导电层连接至发光二极管的半导体堆叠层。阻障层通过第一导电层而电性连接至发光二极管的半导体堆叠层。第一导电层所选用的材料对半导体堆叠层的附着力大于阻障层所选用的材料对半导体堆叠层的附着力。金属层电性连接阻障层至接垫中对应的一者。金属层的熔点低于摄氏260度。
技术领域
本发明是有关于一种显示装置、发光二极管基板以及显示装置的制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode;LED)为一种发光元件,其具低功耗、高亮度、高解析度及高色彩饱和度等特性,因而适用于构建发光二极管显示面板的像素结构。
将发光二极管转置到电路基板上的技术称为巨量转移(Mass Transfer)。一般而言,会于电路基板上形成一整面的导电胶材,接着以转移装置将发光二极管转置到电路基板上。藉由形成于电路基板上的导电胶材固定发光二极管,在将发光二极管固定于导垫胶材后,移除转移装置。现有技术在转移发光二极管时,容易产生发光二极管转置错误或者发光二极管不良等问题,导致显示装置中部分的像素不能正常运作,严重地影响显示装置的显示品质。一般而言,会将转置错误或者不良的发光二极管移除,并将修复用的发光二极管转置于电路基板上以代替移除的发光二极管。然而,现有技术的导电胶材都是大面积的形成于电路基板上,很难清除干净且修复时只将原本导电胶材形成于特定小区域也相当困难与费时。
发明内容
本发明提供一种显示装置,其发光二极管能更好的与电路基板接合。
本发明提供一种发光二极管基板,其发光二极管能更好的与电路基板接合。
本发明提供一种发光二极管基板的制造方法,能减少发光二极管与电路基板的接合处出现裂痕的问题。
本发明的至少一实施例提供一种显示装置。显示装置包括电路基板以及发光二极管。发光二极管的两个电极连接至电路基板的两个接垫。发光二极管的各电极包括第一导电层、阻障层以及金属层。第一导电层连接至发光二极管的半导体堆叠层。阻障层通过第一导电层而电性连接至发光二极管的半导体堆叠层。第一导电层所选用的材料对半导体堆叠层的附着力大于阻障层所选用的材料对半导体堆叠层的附着力。金属层电性连接阻障层至接垫中对应的一者。金属层的熔点低于摄氏260度。
本发明的至少一实施例提供一种发光二极管基板。发光二极管基板包括生长基板以及发光二极管。发光二极管包括半导体堆叠层以及两个电极。半导体堆叠层形成于生长基板上。两个电极形成于半导体堆叠层上。各电极包括第一导电层、阻障层以及金属层。第一导电层形成于半导体堆叠层上。阻障层形成于第一导电层上。第一导电层所选用的材料对半导体堆叠层的附着力大于阻障层所选用的材料对半导体堆叠层的附着力。金属层形成于阻障层上。金属层的熔点低于摄氏260度。
本发明的至少一实施例提供一种显示装置的制造方法。显示装置的制造方法包括:形成多个发光二极管、将其中一个发光二极管转置于电路基板上以及加热该其中一个发光二极管。各发光二极管包括半导体堆叠层以及两个电极。两个电极形成于半导体堆叠层上。各电极包括第一导电层、阻障层以及金属层。第一导电层形成于半导体堆叠层上。阻障层形成于第一导电层上,且第一导电层所选用的材料对半导体堆叠层的附着力大于阻障层所选用的材料对半导体堆叠层的附着力。金属层形成于阻障层上。金属层的熔点低于摄氏260度。电路基板包括多个接垫。其中一个发光二极管位置对应于电路基板的其中两个接垫。其中一个发光二极管的金属层共晶接合至其中两个接垫。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种发光二极管基板的剖面示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种发光二极管基板的剖面示意图。
图3A至图3G是依照本发明的一实施例的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。
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