[发明专利]光蚀刻系统以及液滴控制方法

说明书

一种光蚀刻系统以及液滴控制方法，光蚀刻系统利用锡液滴来产生用于光蚀刻制程的极紫外辐射。该光蚀刻系统用一激光器照射这些液滴。这些液滴变为通电且发射极紫外辐射。一收集器将该极紫外辐射朝向一光蚀刻靶反射。该光蚀刻系统通过使用一充电电极在这些液滴内产生一净电荷且通过在一相对电极内施加一电场来使这些液滴减速，来减少这些锡液滴到该接收器上的回溅。

技术领域

本揭露为一种光蚀刻系统以及液滴控制方法。

背景技术

存在对提高电子装置中的计算能力的不断需求，这些电子装置包括智能手机、平板计算机、桌上型计算机、膝上型计算机及许多其他种类的电子装置。集成电路为这些电子装置提供计算能力。提高集成电路中的计算能力的一种方式是增加晶体管及其他集成电路特征的数目，这些集成电路特征可被包括用于半导体基板的给定区域。

集成电路晶粒上的特征部分地借助于光蚀刻制程来产生。传统光蚀刻技术包括产生描画要在集成电路晶粒上形成的特征的形状的遮罩。光蚀刻光源穿过遮罩照射集成电路晶粒。经由对集成电路晶粒的光蚀刻可产生的特征的大小在下端上部分地受到由光蚀刻光源产生的光的波长的限制。更小的光波长可产生更小的特征大小。

由于极紫外光的波长相对短，所以极紫外光用于产生特别小的特征。例如，极紫外光通常通过用激光束照射所选择的材料的液滴来产生。来自激光的能量致使液滴进入电浆状态。在电浆状态下，液滴发射极紫外光。极紫外光朝向具有椭圆形或抛物面形表面的收集器行进。收集器将极紫外光反射到光蚀刻靶上。

发明内容

根据一实施例，一种光蚀刻系统包括一液滴产生器，该液滴产生器配置以输出多个液滴的一流；及一液滴接收器，该液滴接收器经定位以接收该些液滴。该系统包括一激光器，该激光器配置以照射该些液滴；及一收集器，该收集器配置以自该些液滴接收极紫外辐射且反射该极紫外辐射以用于光蚀刻制程。该系统包括一充电电极，该充电电极定位在该液滴产生器与该液滴接收器之间。该系统包括一反电极，该反电极相对于该些液滴的一行进方向定位在该充电电极下游。该系统包括一控制系统，该控制系统配置以向该充电电极施加一第一电压且向该反电极施加一第二电压。该第一电压经选择以在该些液滴邻近于该充电电极经由时向该些液滴给予一净电荷。该第二电压经选择以在该些液滴邻近于该反电极经由时使该些液滴减速。

根据一实施例，一种液滴控制方法包括以下步骤：自一液滴产生器输出多个液滴的一流；用一激光器照射该些液滴；及将该些液滴接收在一液滴接收器中。该方法包括以下步骤：在该液滴接收器上游在该些液滴中产生一净电荷；及通过在该液滴接收器内产生一电场来降低该些液滴在该液滴接收器内的一速率。

根据一实施例，一种液滴控制方法包括以下步骤：用一液滴产生器输出多个液滴；及通过用一激光器照射该些液滴来产生极紫外辐射。该方法包括以下步骤：通过向定位在邻近于该些液滴的一路径的一充电电极施加一第一电压来在该些液滴中诱导一净电荷；及通过向定位在该充电电极下游的一反电极施加一第二电压来降低该些液滴的一速率。

附图说明

图1是根据一个实施例的光蚀刻系统的方块图；

图2是根据另一个实施例的光蚀刻系统的方块图；

图3是用于减少光蚀刻系统中的回溅的过程的功能流程图；

图4是根据一实施例的用于减少光蚀刻系统中的回溅的方法；

图5是根据一个实施例的用于减少光蚀刻系统中的回溅的方法。

【符号说明】

100:光蚀刻系统

102:激光器

104:光蚀刻靶

106:收集器

108:液滴产生器

110:液滴接收器