[发明专利]一种雁列式正断层走滑带走滑位移量的计算方法有效
申请号: | 202110044550.3 | 申请日: | 2021-01-13 |
公开(公告)号: | CN112859159B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 袁浩伟;陈书平;戴鹍;李茜;赵怀博;黄学尧;王信棚;肖壮;勾琪玮;冯桂民;徐世东 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(北京) |
主分类号: | G01V1/28 | 分类号: | G01V1/28;G01V1/30 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 朱亚娜 |
地址: | 102249*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 雁列式 正断层 带走 位移 计算方法 | ||
1.一种雁列式正断层走滑带走滑位移量的计算方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1,结合钻井资料和测井资料,对地震资料中走滑带内各地层进行层位标定,并在地震资料的地震剖面图中进行走滑带内各走滑断层两盘各个地层的层位解释,得到初级标定地震剖面图,进而确定走滑带内各走滑断层的初级剖面分布特征;所述走滑带内走滑断层的初级剖面分布特征包括走滑断层的走向及走滑带内主要走滑活动变形期;
S2,制作走滑带内沉积地层的沿层相干体属性图,基于所述沿层相干体属性图,结合所述初级标定地震剖面图,明确走滑带在该沉积地层的初级平面分布特征并绘制该沉积地层的初级走滑带平面分布图;并进一步细化所述初级标定地震剖面图中走滑带内各走滑断层上下盘层位发育特征,得到精细标定地震剖面图;继而根据所述精细标定地震剖面图反馈调整所述初级走滑带平面分布图得到精细走滑带平面分布图,其中走滑带在该沉积地层的平面分布特征包括该沉积地层上各走滑断层的走向和各走滑断层的相对位置关系;
S3,根据走滑带在该沉积地层的平面分布特征中的各走滑断层的走向,在所述精细标定地震剖面图中,得到走滑断层在活动期沿倾向的水平平错量Li;i表示走滑断层标号,所述倾向为垂直于所述走滑断层走向的方向;
S4,通过所述精细走滑带平面分布图中走滑带在该沉积地层的平面特征,确定走滑带走向;则走滑带在该活动时期的总走滑位移量为∑(Li/sinαi);其中,α为走滑断层走向与走滑带走向的夹角。
2.根据权利要求1所述雁列式正断层走滑带走滑位移量的计算方法,其特征在于,所述S2中,制作走滑带内某些沉积地层的沿层相干体属性图,具体包括:根据实际活动期某些沉积地层的厚度,对沉积地层顶面上下分别选取合适宽度的时窗进行相干体属性提取,进而获得沉积地层顶面的沿层相干体属性图。
3.根据权利要求2所述雁列式正断层走滑带走滑位移量的计算方法,其特征在于,所述S2中,结合的所述初级标定地震剖面图至少包括多个初级垂切标定地震剖面图,所述初级垂切标定地震剖面图为初级标定地震剖面图中垂直切过所述走滑断层的初级剖面分布特征中的走滑断层走向的剖面图。
4.根据权利要求3所述雁列式正断层走滑带走滑位移量的计算方法,其特征在于,所述S2中,明确走滑带在该沉积地层的平面分布特征,具体包括:使用所述初级垂切标定地震剖面图对所述沿层相干体属性图上显示的走滑断层的平面分布重新厘定,进而得到走滑带在该沉积地层顶面的平面分布特征;走滑带在该沉积地层顶面的平面分布特征包括该沉积地层顶面上各走滑断层的走向和各走滑断层的相对位置关系。
5.根据权利要求4所述雁列式正断层走滑带走滑位移量的计算方法,其特征在于,所述S2中,进一步细化所述初级标定地震剖面图中走滑带内各走滑断层上下盘层位发育特征,得到精细标定地震剖面图,具体包括:对所述初级标定剖面图中至少所述初级垂切标定地震剖面图的走滑断层上下盘层位发育特征,通过所述走滑带平面分布图进行反馈调整并精细刻画,得到精细标定地震剖面图。
6.根据权利要求4或5所述雁列式正断层走滑带走滑位移量的计算方法,其特征在于,所述S3中,所述走滑断层在活动期沿倾向的水平平错量Li为活动期沉积地层顶面在走滑断层上下盘间的水平平错量。
7.根据权利要求4或5所述雁列式正断层走滑带走滑位移量的计算方法,其特征在于,所述S4中,确定走滑带走向具体包括:在所述精细走滑带平面分布图上,运用试错法,当走滑带中各走滑断层的走向与某一方向的夹角趋于一致时,该方向即为走滑带走向。
8.根据权利要求7所述雁列式正断层走滑带走滑位移量的计算方法,其特征在于,所述S4中,走滑带在该活动时期的总走滑位移量为∑(Li/sinα),具体包括:在所述精细走滑带平面分布图中,根据各走滑断层走向与走滑带走向的夹角α,确定走滑带在走滑断层的走滑分量Si=Li/sinαi,则走滑带在该活动时期总走滑位移量即为∑(Si)。
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