[发明专利]一种三相电流采样方法和系统在审

专利信息
申请号: 202110046255.1 申请日: 2021-01-14
公开(公告)号: CN112858755A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 周明;王德洪;温国椋;陈小红 申请(专利权)人: 中微渝芯(重庆)电子科技有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00;G01R19/32
代理公司: 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 代理人: 廖天云
地址: 400039 重庆市*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 三相 电流 采样 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种三相电流采样方法,其特征在于,应用于三相电流采样系统,所述三相电流采样系统包括用于驱动电机转动的三相桥臂驱动电路和三路采样电路,每相桥臂驱动电路包括由功率MOS管组成的下桥臂,所述采样方法包括:

在第一采样时刻,通过采样电路获取所述功率MOS管的温度数据;

根据所述温度数据,得到所述功率MOS管在所述第一采样时刻的内阻值;

在第二采样时刻,通过所述采样电路获取所述功率MOS管的VDS电压;

根据所述内阻值和所述VDS电压,得到所述每相桥臂驱动电路输出的相电流。

2.如权利要求1所述的三相电流采样方法,其特征在于,所述采样电路包括:

开关MOS管和热敏二极管;

所述功率MOS管的栅极与所述开关MOS管的栅极相连,所述功率MOS管的漏极与所述开关MOS管的漏极相连,所述热敏二极管的阳极与所述开关MOS管的源极相连,所述热敏二极管的阴极与所述功率MOS管的源极相连,所述功率MOS管的源极接地。

3.如权利要求2所述的三相电流采样方法,其特征在于,所述在第一采样时刻,通过采样电路获取所述功率MOS管的温度数据,包括:

在所述第一采样时刻,控制所述功率MOS管和所述开关MOS管截止;

所述采样电路采集所述热敏二极管在所述第一采样时刻的输出电压;

根据所述热敏二极管的特性参数和所述输出电压,获取到所述热敏二极管采集到的温度值;

将所述热敏二极管采集到的温度值作为所述功率MOS管的温度数据。

4.如权利要求3所述的三相电流采样方法,其特征在于,在第二采样时刻,通过所述采样电路获取所述功率MOS管的VDS电压,包括:

在所述第二采样时刻,控制所述功率MOS管和所述开关MOS管导通;

获取所述功率MOS管的VDS电压。

5.如权利要求4所述的三相电流采样方法,其特征在于,所述三相电流采样系统还包括差分放大电路时,获取所述功率MOS管的VDS电压,包括:

将所述差分放大电路的输入端与所述热敏二极管的阳极相连;

获取所述差分放大电路在所述第二采样时刻输出的放大电压;

获取所述差分放大电压与所述放大电路的基准电压的差值,得到电压差;

获取所述电压差与所述差分放大电路的放大倍数的比值,得到所述MOS管的VDS电压。

6.如权利要求1-5任一项所述的三相电流采样方法,其特征在于,所述第二采样时刻为每相下桥臂中的功率MOS管同时导通的时刻。

7.一种三相电流采样系统,其特征在于,所述采样系统包括:

三相桥臂驱动电路、三路采样电路和控制器;

每相桥臂驱动电路包括上桥臂和下桥臂,所述下桥臂包括功率MOS管;

每路采样电路的输入端与每相桥臂驱动电路的下桥臂相连,用于在第一采样时刻采集每相下桥臂中所述功率MOS管的温度数据,还用于在第二采样时刻采集每相下桥臂中所述功率MOS管的VDS电压;

所述控制器分别与所述上桥臂的控制端、所述下桥臂的控制端和所述采样电路的输出端相连,用于控制所述上桥臂和所述下桥臂分别导通,还用于根据所述温度数据得到所述功率MOS管的内阻值,还用于根据所述内阻值和所述VDS电压,得到所述每相桥臂驱动电路输出的工作电流。

8.如权利要求7所述的三相电流采样系统,其特征在于,所述采样系统还包括:

三路差分放大电路,每路差分放大电路的输入端与所述每路采样电路的输出端相连,所述每路差分放大电路的输出端与所述控制器相连,用于将所述每路采样电路输出的工作电压进行差分放大后输入到所述控制器,使所述控制器根据所述差分放大后的工作电压,得到每相下桥臂中所述功率MOS管的VDS电压。

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