[发明专利]一种三相电流采样方法和系统

说明书

本发明提供一种三相电流采样方法和系统，所述采样方法包括：所述采样方法包括：在第一采样时刻，通过采样电路获取所述功率MOS管的温度数据；根据所述温度数据，得到所述功率MOS管在所述第一采样时刻的内阻值；在第二采样时刻，通过所述采样电路获取所述功率MOS管的VDS电压；根据所述内阻值和所述VDS电压，得到所述每相桥臂驱动电路输出的相电流；解决了现有技术对电机的三相电流采样方法电流采样成本高和采样精度低的问题，节省成本，提高了电流采样精度，满足了电机驱动系统的高集成和高精度的需求。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种三相电流采样方法和系统。

背景技术

电机是目前工业设备中普遍适用的电子元器件，根据本领域中电机工作的原理，需要通过三相桥臂驱动电路将供电电流输出至电机，以驱动电机的正常运转；三相桥臂驱动电路的输出电流控制着电机的运行状态，需要实时检测三相桥臂驱动电路的输出电流变化情况，以保障电机的安全运行，根据应用需求通过算法控制三相桥臂驱动电路的输出电流大小来得到电机的实际运转状态使电机按实际应用需求运行，并且控制电机的转速、转矩以及启停操作，提高电机的可操控性和安全性。

目前电机控制中，为了采集到三相桥臂驱动电路的相电流，通常做法有：1、常规3电阻采样法：即在三相桥臂驱动电路的下桥臂分别串联3个采样电阻，在SVPWM(空间矢量脉宽调制)的零矢量区获取电机三相电流，采集到的电流再经过运放处理后给MCU处理，此种采样方式需要三个采样电阻，存在能耗损耗，增加故障率和成本。2、传统MOS管内阻采样法：相比传统3电阻采样，MOS内阻采样直接采样3相桥臂的下桥臂MOS内阻作为采样电阻，此种采样方式MOS内阻随温度的变化存在温度漂移，为保证电流精度需做温度补偿，运放处理电路需要外并二极管以防止MOS管关断时相电压的高压，运放电路无法采用差分运放结构，共模干扰电压重。

可见，现有技术对电机的三相电流采样方法存在电流采样成本高和采样精度低的问题，不满足电机驱动系统的高集成和高精度的需求。

发明内容

针对现有技术中所存在的不足，本发明的提供的一种三相电流采样方法和系统，其解决了现有技术对电机的三相电流采样方法电流采样成本高和采样精度低的问题，节省成本，提高了电流采样精度，满足了电机驱动系统的高集成和高精度的需求。

第一方面，本发明提供一种三相电流采样方法，应用于三相电流采样系统，所述三相电流采样系统包括用于驱动电机转动的三相桥臂驱动电路和三路采样电路，每相桥臂驱动电路包括由功率MOS管组成的下桥臂，所述采样方法包括：在第一采样时刻，通过采样电路获取所述功率MOS管的温度数据；根据所述温度数据，得到所述功率MOS管在所述第一采样时刻的内阻值；在第二采样时刻，通过所述采样电路获取所述功率MOS管的VDS电压；根据所述内阻值和所述VDS电压，得到所述每相桥臂驱动电路输出的相电流。

可选地，所述采样电路包括：开关MOS管和热敏二极管；所述功率MOS管的栅极与所述开关MOS管的栅极相连，所述功率MOS管的漏极与所述开关MOS管的漏极相连，所述热敏二极管的阳极与所述开关MOS管的源极相连，所述热敏二极管的阴极与所述功率MOS管的源极相连，所述功率MOS管的源极接地。

可选地，所述在第一采样时刻，通过采样电路获取所述功率MOS管的温度数据，包括：在所述第一采样时刻，控制所述功率MOS管和所述开关MOS管截止；所述采样电路采集所述热敏二极管在所述第一采样时刻的输出电压；根据所述热敏二极管的特性参数和所述输出电压，获取到所述热敏二极管采集到的温度值；将所述热敏二极管采集到的温度值作为所述功率MOS管的温度数据。

可选地，在第二采样时刻，通过所述采样电路获取所述功率MOS管的VDS电压，包括：在所述第二采样时刻，控制所述功率MOS管和所述开关MOS管导通；获取所述功率MOS管的VDS电压。