[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一导电线，设置于衬底上方；

存储器结构，位于所述第一导电线上方，且通过导电通孔电性耦合至所述第一导电线；

间隔件层，位于所述存储器结构侧边且覆盖所述存储器结构的侧壁；

第一介电层，位于所述间隔件层上且位于所述存储器结构侧边；

第二介电层，位于所述存储器结构、所述间隔件层以及所述第一介电层上方；以及

第二导电线，穿过所述第二介电层、所述第一介电层以及所述间隔件层，以与所述存储器结构电性耦合，所述第二导电线包括：

主体部，至少部分地嵌置于所述第二介电层中；以及

延伸部，位于所述主体部下方且电性连接至所述存储器结构的上电极，其中所述延伸部侧向凸出于所述主体部的侧壁，且被所述间隔件层环绕包覆。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述延伸部的宽度大于所述主体部的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述间隔件层还包括上覆于所述存储器结构之上的上覆部，且所述上覆部与所述存储器结构的所述上电极被位于其间的所述延伸部的一部分间隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述延伸部的凸出于所述主体部的一部分位于所述存储器结构与所述第二介电层之间，且与所述第二介电层的底面接触。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述间隔件层的最顶面与所述第一介电层的顶面齐平，且与所述第二介电层的底面接触。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二导电线的所述延伸部的顶面齐平于或低于所述间隔件层的所述最顶面及所述第一介电层的所述顶面。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述存储器结构包括电阻式随机存取存储器结构，且至少包括下电极、上电极及设置于所述上电极与所述下电极之间的可变电阻层。

8.一种半导体装置的形成方法，包括：

在衬底上方形成第一导电线；

在所述第一导电线上方形成存储器结构，所述存储器结构通过导电通孔电性连接至所述第一导电线；

在所述存储器结构上形成牺牲层；

形成间隔件层，以覆盖所述存储器结构的侧壁及所述牺牲层的侧壁及顶面；

形成第一介电层，以覆盖所述间隔件层；

进行平坦化工艺，以至少移除位于所述间隔件层的最顶面上方的部分所述第一介电层；

在所述间隔件层及所述第一介电层上形成第二介电层；

进行图案化工艺，以形成至少穿过所述第二介电层的开口，所述开口暴露出所述牺牲层的所述顶面的一部分；

移除所述牺牲层，以形成凹槽；

在所述开口及所述凹槽中形成第二导电线，以电性耦合至所述存储器结构。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中所述图案化工艺移除所述第二介电层的一部分以及所述间隔件层的一部分，且所述开口形成于所述第二介电层及所述间隔件层中。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中所述平坦化工艺还包括移除位于所述牺牲层的所述顶面上的所述间隔件层的一部分，以暴露出所述牺牲层的所述顶面。

11.根据权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中所述开口的宽度被形成为小于所述牺牲层的宽度，使得所述开口的宽度小于移除所述牺牲层所形成的所述凹槽的宽度，所述第二导电层具有位于所述开口中的主体部以及位于所述凹槽中的延伸部，且所述延伸部侧向凸出于所述主体部的侧壁。