[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内具有浅沟槽及所述浅沟槽限定的有源区，在沿预设方向上，所述浅沟槽具有交替排布的第一区域及第二区域，所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度；

浅沟槽隔离结构，填充在所述浅沟槽内，在所述第一区域，所述浅沟槽隔离结构包括依次设置的第一填充层及第二填充层，所述第一填充层覆盖所述浅沟槽的侧壁，所述第二填充层覆盖所述第一填充层侧壁且填满所述浅沟槽，其中，所述第二填充层为低K介质层，在所述第二区域，所述浅沟槽隔离结构包括所述第一填充层，且所述第一填充层填满所述浅沟槽，在预设方向上，所述第二填充层的宽度小于所述第一区域的宽度，且大于或者等于所述第一区域的宽度的三分之一；

所述半导体器件还包括多条字线，所述字线沿所述预设方向依次穿过所述有源区及所述浅沟槽隔离结构，在所述第一区域，所述第二填充层位于所述字线的两侧，且覆盖所述字线的表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一填充层为氧化物层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二填充层的介电常数小于或等于4。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述浅沟槽还包括第三区域，所述第三区域的宽度大于所述第一区域的宽度，在所述第三区域，所述浅沟槽隔离结构至少包括依次设置的所述第一填充层、所述第二填充层及第三填充层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，在所述第三区域，所述浅沟槽隔离结构还包括第四填充层，所述第四填充层覆盖所述第三填充层且填满所述浅沟槽。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第三填充层为氮化物层，所述第四填充层为氧化物层。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括阵列区及外围电路区，所述第一区域及所述第二区域位于所述阵列区，所述第三区域位于所述外围电路区。

8.一种权利要求1-7任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底内具有浅沟槽及所述浅沟槽限定的有源区，在沿预设方向上，所述浅沟槽具有交替排布的第一区域及第二区域，所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度；

在所述浅沟槽内形成浅沟槽隔离结构，在所述第一区域，所述浅沟槽隔离结构至少包括依次设置的第一填充层及第二填充层，所述第一填充层覆盖所述浅沟槽的侧壁，所述第二填充层覆盖所述第一填充层侧壁且填满所述浅沟槽，其中，所述第二填充层为低K介质层，在所述第二区域，所述浅沟槽隔离结构包括所述第一填充层，且所述第一填充层填满所述浅沟槽，在预设方向上，所述第二填充层的宽度小于所述第一区域的宽度，且大于或者等于所述第一区域的宽度的三分之一；

形成多条字线，所述字线沿所述预设方向依次穿过所述有源区及所述浅沟槽隔离结构，在所述第一区域，所述第二填充层位于所述字线的两侧，且覆盖所述字线的表面。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述浅沟槽内形成所述浅沟槽隔离结构的步骤进一步包括：

在所述浅沟槽内形成第一填充层，在所述第一区域，所述第一填充层覆盖所述浅沟槽的侧壁，在所述第二区域，所述第一填充层填满所述浅沟槽；

在所述浅沟槽内形成第二填充层，在所述第一区域，所述第二填充层覆盖所述第一填充层且填满所述浅沟槽。