[发明专利]芯片结构、封装结构及其制作方法在审
申请号: | 202110048328.0 | 申请日: | 2021-01-14 |
公开(公告)号: | CN112864121A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 范增焰 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭凤杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 结构 封装 及其 制作方法 | ||
1.一种芯片结构,其特征在于,包括:
基底,所述基底上表面设有多个焊盘,其中,至少两个所述焊盘属性相同;
导电互连层,包括若干导电互连结构,所述导电互连结构将属性相同的所述焊盘电连接,且用于与封装基板上的引脚电连接。
2.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述芯片结构还包括第一绝缘层,所述第一绝缘层内具有暴露所述焊盘的第一开口,且所述第一绝缘层覆盖于所述第一开口外围的所述基底上表面,所述导电互连结构经由所述第一开口将属性相同的所述焊盘电连接。
3.根据权利要求2所述的芯片结构,其特征在于,所述芯片结构还包括第二绝缘层,所述第二绝缘层内具有暴露所述焊盘的第二开口,且所述第二绝缘层覆盖于所述第二开口外围的所述第一绝缘层的表面,所述导电互连结构经由所述第二开口将属性相同的所述焊盘电连接。
4.根据权利要求3所述的芯片结构,其特征在于,所述第二开口在所述基底上的正投影位于所述第一开口在所述基底上的正投影内部。
5.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述导电互连结构包括相互连接的连接区和第一引线区,所述连接区将属性相同的所述焊盘电连接,所述第一引线区用于与所述引脚电连接。
6.一种封装结构,其特征在于,包括:
封装基板,所述封装基板上设有多个引脚;
如权利要求1-5任一项所述的芯片结构;
引线,一端与所述引脚电连接,另一端与所述导电互连结构电连接。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述封装基板内开设有窗口,且所述引脚形成于所述封装基板的一侧,所述芯片结构贴置于所述封装基板的背离所述引脚的另一侧,且所述引线穿过所述窗口电连接所述引脚与所述导电互连结构。
8.根据权利要求6或7所述的封装结构,其特征在于,所述引线经由第一焊点与所述引脚电连接,并经由第二焊点与所述导电互连结构电连接;所述第一焊点与所述第二焊点之间连线的水平夹角小于35°。
9.根据权利要求6或7所述的封装结构,其特征在于,所述导电互连结构包括第二引线区,第二焊点位于所述第二引线区,在同一投影平面上,所述第二引线区的正投影与与其对应的引脚的正投影至少部分重合。
10.根据权利要求9所述的封装结构,其特征在于,在同一投影平面上,所述第二引线区的正投影位于与其对应的引脚的正投影内部。
11.一种芯片结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供基底,所述基底上表面设有多个焊盘,其中,至少两个所述焊盘属性相同;
于所述基底上方形成导电互连层,所述导电互连层包括若干导电互连结构,所述导电互连结构将属性相同的所述焊盘电连接。
12.根据权利要求11所述的芯片结构的制作方法,其特征在于,所述于所述基底上方形成导电互连层之前还包括:
于所述焊盘以及所述基底未被所述焊盘覆盖的上表面形成第一绝缘材料层;
对所述第一绝缘材料层进行图形化,以形成具有第一开口的第一绝缘层,所述第一开口暴露所述焊盘;
所述导电互连结构经由所述第一开口将属性相同的所述焊盘电连接。
13.根据权利要求12所述的芯片结构的制作方法,其特征在于,所述于所述基底上方形成导电互连层之前还包括:
于所述第一绝缘层的表面及所述第一开口内形成第二绝缘材料层;
图形化所述第二绝缘材料层,以形成具有第二开口的第二绝缘层,所述第二开口暴露所述焊盘;
所述导电互连结构经由所述第二开口将属性相同的所述焊盘电连接。
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