[发明专利]电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质

权利要求书

1.一种电子器件的加固设计方法，其特征在于，包括：

获取电子器件的软错误率指标；

根据所述电子器件的模拟辐照试验，获取所述电子器件发生各种单粒子翻转类型的软错误率，所述单粒子翻转类型包括单位翻转和多位翻转；

根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与所述软错误率指标，确定所述电子器件的待加固类型；

根据所述待加固类型，对所述电子器件进行加固纠正。

2.根据权利要求1所述的电子器件的加固设计方法，其特征在于，设定最大翻转类型为j位翻转，j为大于等于2的正整数，i位翻转的软错误率为SER_i，i为正整数，且1≤i≤j，所述所有单粒子翻转类型软错误率之和为所述根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与所述软错误率指标，确定何种单粒子翻转类型为待加固类型，包括：

当大于所述软错误率指标，且小于等于所述软错误率指标时，确定k位翻转的单粒子翻转类型为待加固类型，k由1至j-1依次取值，直至所述待加固类型确定；

当j位翻转的软错误率SER_j大于所述软错误率指标时，确定j位翻转的单粒子翻转类型为待加固类型。

3.根据权利要求2所述的电子器件的加固设计方法，其特征在于，所述根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与所述软错误率指标，确定所述电子器件的待加固类型，还包括：

当所有单粒子翻转类型软错误率之和小于所述软错误率指标时，则所述电子器件的待加固类型为无需加固类型。

4.根据权利要求1所述的电子器件的加固设计方法，其特征在于，所述加固方法包括校验码加固方法。

5.根据权利要求4所述的电子器件的加固设计方法，其特征在于，所述选择加固方法对所述待加固类型的相关位数进行加固纠正，包括：

使用具有纠正小于等于所述待加固类型能力的校验码，对所述电子器件进行加固纠正。

6.根据权利要求1所述的电子器件的加固设计方法，其特征在于，根据所述电子器件在不同应用环境下的器件指标要求，获取所述电子器件的软错误率指标。

7.根据权利要求1所述的电子器件的加固设计方法，其特征在于，所述加固方法还包括交错架构加固方法和定时刷新加固方法。

8.根据权利要求7所述的电子器件的加固设计方法，其特征在于，在使用校验码加固方法对所述电子器件进行加固后，使用交错架构加固方法和/或定时刷新加固方法对所述电子器件进行再次加固。

9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤。