[发明专利]电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质

说明书

本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质，包括获取电子器件的软错误率指标；根据电子器件的模拟辐照试验，获取电子器件发生各种单粒子翻转类型的软错误率，单粒子翻转类型包括单位翻转和多位翻转；根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与软错误率指标，确定电子器件的待加固类型；根据待加固类型，对电子器件进行加固纠正。通过获取发生各种单粒子翻转类型的软错误率，以实际应用环境下的软错误率指标为导向，选择合适的加固方式对电子器件进行加固纠正，以保证电子器件在达到软错误率指标的同时避免过度加固，以降低加固带来的资源消耗和性能下降。

技术领域

本发明涉及电子器件可靠性技术领域，特别是涉及一种电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质。

背景技术

在应用于地球地面和航空环境中时，半导体器件出现软错误的主要诱因为大气中子和阿尔法粒子。阿尔法粒子来源于器件自身封装材料，大气中子来自于试验环境。大气中子和阿尔法粒子导致产生的软错误类型主要为单粒子翻转，包括单位翻转和多位翻转。由于这些元素极易出现在半导体器件的各种材料中，如模塑料、焊球、填充料等，因此必须针对单粒子翻转对半导体器件进行加固设计，以使得半导体器件的软错误率符合应用环境中的指标要求。目前，行业缺乏精确有效的降低软错误率的加固优化设计方法，用于指导半导体器件软错误加固设计。

发明内容

基于此，有必要针对的问题目前行业缺乏精确有效的降低软错误率的加固优化设计方法，提供一种电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质。

一种电子器件的加固设计方法，包括获取电子器件的软错误率指标；根据所述电子器件的模拟辐照试验，获取所述电子器件发生各种单粒子翻转类型的软错误率，所述单粒子翻转类型包括单位翻转和多位翻转；根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与所述软错误率指标，确定所述电子器件的待加固类型；根据所述待加固类型，对所述电子器件进行加固纠正。

上述电子器件的加固设计方法，首先获取电子器件在实际应用环境下的软错误率指标。然后，通过开展模拟辐照试验获得器件发生各种单粒子翻转类型的软错误率。以实际应用环境下的软错误率指标为导向，选择合适的加固方式对所述电子器件进行加固纠正，以保证所述电子器件在达到软错误率指标的同时，降低加固带来的资源消耗和性能下降，避免过度加固。

在其中一个实施例中，设定最大翻转类型为j位翻转，j为大于等于2的正整数，i位翻转的软错误率为SERi，i为正整数，且1≤i≤j，所述所有单粒子翻转类型软错误率之和为所述根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与所述软错误率指标，确定何种单粒子翻转类型为待加固类型，包括：当大于所述软错误率指标，且小于等于所述软错误率指标时，确定k位翻转的单粒子翻转类型为待加固类型，k由1至j-1依次取值，直至所述待加固类型确定；当j位翻转的软错误率SER_j大于所述软错误率指标时，确定j位翻转的单粒子翻转类型为待加固类型。

在其中一个实施例中，所述根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与所述软错误率指标，确定所述电子器件的待加固类型，还包括当所有单粒子翻转类型软错误率之和小于所述软错误率指标时，则所述电子器件的待加固类型为无需加固类型。

在其中一个实施例中，所述加固方法包括校验码加固方法。

在其中一个实施例中，所述选择加固方法对所述待加固类型的相关位数进行加固纠正，包括使用具有纠正小于等于所述待加固类型能力的校验码，对所述电子器件进行加固纠正。

在其中一个实施例中，根据所述电子器件在不同应用环境下的器件指标要求，获取所述电子器件的软错误率指标。

在其中一个实施例中，所述加固方法还包括交错架构加固方法和定时刷新加固方法。