[发明专利]封装件和半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

将互连器件放置在第一载体上，其中，所述互连器件包括第一导电连接器和第二导电连接器；

形成所述第一载体上的第一过孔和第二过孔；

形成所述互连器件、所述第一过孔、和所述第二过孔上方的再分布结构，其中，所述再分布结构的第一侧连接至所述第一过孔和所述第二过孔；

将互连结构连接至所述再分布结构的第二侧，其中，所述互连结构包括有机衬底和多个布线层；

将所述互连结构连接至第二载体；

将第一半导体管芯连接至所述互连器件的所述第一导电连接器和所述第一过孔；以及

将第二半导体管芯连接至所述互连器件的所述第二导电连接器和所述第二过孔，其中，所述第二半导体管芯通过所述互连器件电连接至所述第一半导体管芯。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成所述第一载体上方的模制化合物，所述模制化合物围绕所述互连器件、所述第一过孔、和所述第二过孔。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：将集成电压调节器(IVR)管芯放置在所述第一载体上，并且还包括将所述第一半导体管芯连接至所述集成电压调节器。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成所述第一载体上的晶种层，并且实施回流工艺，以使所述第一导电连接器和所述第二导电连接器接合至所述晶种层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一半导体管芯在所述互连器件上方延伸，并且其中，所述第二半导体管芯在所述互连器件上方延伸。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成位于所述互连器件和所述第一载体之间的底部填充剂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述再分布结构包括：形成模制化合物层和延伸穿过所述模制化合物层的再分布层。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成所述互连器件、所述第一过孔、和所述第二过孔上方的金属化图案，其中，所述金属化图案位于所述第一半导体管芯和所述互连器件之间。

9.一种半导体器件，包括：

互连器件，连接至再分布结构，其中，所述互连器件包括导电布线，所述导电布线连接至设置在所述互连器件的第一侧上的多个导电连接器；

模制材料，至少横向地围绕所述互连器件；

金属化图案，位于所述模制材料和所述互连器件的所述第一侧上方，其中，所述金属化图案电连接至所述多个导电连接器；

多个第一外部连接器，连接至所述金属化图案；以及

多个半导体器件，连接至所述多个第一外部连接器。

10.一种封装件，包括：

再分布结构，包括多个绝缘层和多个再分布层；

第一模制化合物层，位于所述再分布结构上；

多个过孔，位于所述第一模制化合物层内；

多个互连器件，位于所述第一模制化合物层内，其中，每个互连器件包括多个接触件；

介电层，覆盖所述第一模制化合物层、所述过孔、和所述多个互连器件；以及

多个半导体器件，位于所述介电层上方，其中，所述多个半导体器件穿过所述介电层电连接至所述过孔，并且穿过所述介电层电连接至所述多个互连器件的所述多个接触件，其中，所述多个半导体器件中的至少两个半导体器件通过所述多个互连器件中的至少一个互连器件电连接。