[发明专利]半导体装置及裂纹检测方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

半导体层，其具有形成有半导体元件的有源区域以及所述有源区域的外侧的边缘终止区域；以及

裂纹检测构造体，其形成于所述边缘终止区域，

所述裂纹检测构造体具有：

沟槽，其形成于所述半导体层，在所述边缘终止区域的周向延伸；

内壁绝缘膜，其形成于所述沟槽的内壁；

埋入电极，其形成于所述内壁绝缘膜之上，埋入至所述沟槽；以及

监视电极，其形成于所述半导体层之上，与所述埋入电极连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体元件是具有栅极绝缘膜以及栅极电极的绝缘栅极型的半导体元件，

所述裂纹检测构造体的所述内壁绝缘膜的厚度厚于所述半导体元件的所述栅极绝缘膜的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述裂纹检测构造体的所述沟槽形成于所述半导体层的第1导电型的漂移层内，

在所述漂移层的所述沟槽的周围形成有至少将所述沟槽的底部的周围覆盖的第2导电型的区域。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体元件是具有栅极绝缘膜以及栅极电极的沟槽栅极型的半导体元件，该栅极绝缘膜以及栅极电极埋入至在所述半导体层形成的沟槽，

所述裂纹检测构造体的所述沟槽的深度深于所述半导体元件的所述沟槽的深度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体元件是具有栅极绝缘膜以及栅极电极的沟槽栅极型的半导体元件，该栅极绝缘膜以及栅极电极埋入至在所述半导体层形成的沟槽，

所述裂纹检测构造体的所述沟槽的宽度宽于所述半导体元件的所述沟槽的宽度。

6.一种裂纹检测方法，其是权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的裂纹检测方法，其中，

对所述裂纹检测构造体的所述监视电极与所述半导体装置所具有的其它电极之间的漏电流或者电位差进行测定，

基于测定出的所述漏电流或者所述电位差的值对所述半导体装置有无裂纹进行判定。