[发明专利]半导体装置及裂纹检测方法

说明书

本发明涉及半导体装置及裂纹检测方法。提供一种能够高精度地对裂纹的发展状况进行检测的半导体装置。半导体装置(100)是使用半导体基板(1)形成的，具有形成有半导体元件的有源区域(10)以及有源区域(10)的外侧的边缘终止区域(20)。在半导体基板(1)的边缘终止区域(20)形成有裂纹检测构造体(30)。裂纹检测构造体(30)具有：沟槽(31)，其形成于半导体基板(1)，在边缘终止区域(20)的周向延伸；内壁绝缘膜(32)，其形成于沟槽(31)的内壁；埋入电极(33)，其形成于内壁绝缘膜(32)之上，埋入至沟槽(31)；以及监视电极(34)，其形成于半导体基板(1)之上，与埋入电极(33)连接。

技术领域

本发明涉及半导体装置，特别涉及对在半导体装置产生的裂纹进行检测的技术。

背景技术

应功率器件的节能化以及小型化这样的市场要求，正在推进以降低实际使用功率器件时的损耗为目的的晶片的薄化。如果使晶片变薄，则虽然会带来电气特性的改善，但出现晶片的处理变得困难或者半导体装置的制造所涉及的各种处理受到限制等量产性的课题。特别是，在从晶片切出各个芯片的切割工序中，由于通过金刚石切割器等物理地切断晶片，因此由晶片之上的异物、切割器的缺损、晶片的翘曲、晶片的表面状态等各种要因导致在晶片的切割线部产生裂纹、缺损等(下面统称为“裂纹”)。为了防止裂纹的产生，通过小团队活动等改善活动而日复一日地进行进行晶片工艺的改善。

关于防止产生了裂纹的芯片的流出，如果是具有能够通过基于电气特性测定进行的测试、目视检查来判别的程度的大裂纹的芯片，则基本能可靠地剔除。但是，具有不影响电气特性且即使进行目视检查也难以判别的微细裂纹的芯片有可能向后续工序流出。即使具有微细裂纹的芯片流出，在大部分情况下，在后续工序中也不会产生任何影响，但有时偶尔会产生由组装引起的应力、由实际使用时的严酷环境(热、物理力)引起的应力等，使裂纹发展。因此，谋求能够高精度地对在芯片产生的裂纹的发展状况进行监视的技术。

例如，在下述专利文献1中公开了如下技术，即，在芯片的有效区域(半导体元件的形成区域)的周围，使在半导体层形成的扩散层或者直接埋入至半导体层的电极作为裂纹检测用配线而延伸，使用与扩散层或者电极连接的2个焊盘对扩散层或者电极的电阻值进行测定，由此对芯片有无裂纹进行判定。

专利文献1：日本特开2015-167207号公报

在专利文献1的技术中，由于基于裂纹检测用配线(扩散层或者电极)的电阻值对有无裂纹进行判定，因此，如果裂纹没有以裂纹检测用配线的电阻值大幅变化的程度大幅切入至该配线，则无法检测到裂纹。因此，专利文献1的技术难以高精度地对裂纹的发展状况进行检测。

发明内容

本发明是为了解决以上那样的课题而提出的，其目的在于提供一种能够高精度地对裂纹的发展状况进行检测的半导体装置。

本发明所涉及的半导体装置具有：半导体层，其具有形成有半导体元件的有源区域以及所述有源区域的外侧的边缘终止区域；以及裂纹检测构造体，其形成于所述边缘终止区域，所述裂纹检测构造体具有：沟槽，其形成于所述半导体层，在所述边缘终止区域的周向延伸；

内壁绝缘膜，其形成于所述沟槽的内壁；埋入电极，其形成于所述内壁绝缘膜之上，埋入至所述沟槽；以及监视电极，其形成于所述半导体层之上，与所述埋入电极连接。

发明的效果

根据本发明所涉及的半导体装置，能够通过对监视电极与其它电极之间的漏电流或者电位差进行测定，从而对裂纹的发展状况进行监视。只要裂纹到达裂纹检测构造体，漏电流或者电位差就会大幅变化，因此能够高精度地对裂纹的发展状况进行检测。

附图说明

图1是表示实施方式1所涉及的半导体装置的结构的剖面图。

图2是表示实施方式1所涉及的半导体装置的裂纹的监视方法的一个例子的图。