[发明专利]3D存储器的配置方法、读取方法以及3D存储器

权利要求书

1.一种3D存储器的配置方法，所述3D存储器包括多个存储块以及配置块，所述配置方法包括：

在所述存储块中与选定字线相对应的多个选定存储单元中写入数据，其中，在所述存储块的所述多个选定存储单元的栅极上施加编程电压，在所述存储块的多个未选定存储单元的栅极上施加导通电压；

测量所述多个选定存储单元的阈值电压；

获得关系表，所述关系表表示所述多个选定存储单元中阈值电压小于第一预定电压的所述存储单元个数与所述导通电压之间的对应关系；以及

将所述关系表写入配置块。

2.根据权利要求1所述的3D存储器的配置方法，所述配置块中存储有一个或多个所述存储块的所述关系表。

3.根据权利要求1所述的3D存储器的配置方法，在所述关系表中，所述多个选定存储单元中阈值电压小于第一预定电压的所述存储单元的个数越多，对应的所述导通电压越小。

4.根据权利要求1所述的3D存储器的配置方法，所述导通电压大于所述存储单元的最高态阈值，所述导通电压和所述存储单元的最高态阈值的差值等于第二预定电压。

5.一种3D存储器的读取方法，所述3D存储器包括多个存储块以及配置块，所述读取方法包括：

获取数据读取请求，所述数据读取请求包括待读取数据的地址；

根据所述待读取数据的地址，确定所述待读取数据所在的存储块；

读取所述存储块的选定字线，以获得与所述选定字线对应的多个选定存储单元中阈值电压小于第一预定电压的存储单元的个数；

查找配置块中的关系表，以得到与所述多个选定存储单元中阈值电压小于第一预定电压的所述存储单元的个数对应的导通电压；

在非读字线上施加所述导通电压，以及

在读取字线上施加读取电压，以获得所述待读取数据；

其中，所述关系表由权利要求1至4中任一项的3D存储器的配置方法得到，所述关系表用于表示所述多个选定存储单元中阈值电压小于第一预定电压的所述存储单元个数与所述导通电压之间的对应关系。

6.根据权利要求5所述的3D存储器的读取方法，读取所述存储块的所述选定字线的方法包括：

在所述选定字线上施加第一预定电压，以检测与所述选定字线对应的所述多个选定存储单元，若存储单元的阈值电压部分或全部小于所述第一预定电压，则判定所述存储单元为小于所述第一预定电压的存储单元。

7.根据权利要求5所述的3D存储器的读取方法，所述配置块中存储有一个或多个所述存储块的所述关系表。

8.根据权利要求5所述的3D存储器的读取方法，所述导通电压小于或等于所述存储块的初始导通电压。

9.根据权利要求8所述的3D存储器的读取方法，在所述关系表中，所述小于第一预定电压的存储单元越多，对应的所述导通电压越小。

10.根据权利要求6所述的3D存储器的读取方法，所述导通电压大于所述存储单元的最高态阈值，所述导通电压和所述存储单元的最高态阈值的差值等于第二预定电压。

11.一种3D存储器，其特征在于，包括：

控制电路，用于对存储阵列中的数据进行读取、写入操作；

存储接口，与所述控制电路连接，用于与存储阵列进行通信，以及控制电路与存储阵列的数据传输；

存储阵列，与所述存储接口连接，包括多个存储块和配置块，所述存储块用于存储数据，所述配置块用于存储关系表；

其中，所述控制电路进行读操作时，首先读取存储块的选定字线以得到小于第一预定电压的存储单元的个数，并查找所述关系表以得到对应的导通电压，再对读取字线施加读取电压，对非读字线施加导通电压以读取数据。

12.根据权利要求11所述的3D存储器，所述导通电压小于等于所述存储块的初始导通电压。