[发明专利]基于SRAM实现存储及模拟计算的电路及存储及模拟计算系统

权利要求书

1.一种基于SRAM实现存储及模拟计算的电路，其特征在于，用于进行模拟计算和/或储存流程，所述电路包括：

至少一6T SRAM单元，每个单元具有同时输入输出数据的输入输出端Q1以及Q2；

第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管以及第四NMOS管；

六个CMOS传输门，依次记为P1～P6；

一端接地的第一电容以及第二电容；

其中，所述6T SRAM单元的输入输出端Q1分别连接位线BL1端以及所述第二NMOS管的栅极，所述6T SRAM单元的输入输出端Q2分别连接位线BL2端以及所述第三NMOS管的栅极；

所述第一NMOS管的漏极连接所述所述第二NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的漏极，且所述第一NMOS管的源极连接所述第一电容的另一端，所述第四NMOS管的源极连接所述第二电容的另一端；

所述第一电容的另一端还分别连接CMOS传输门P1、CMOS传输门P2以及CMOS传输门P3；所述第二电容的另一端分别连接CMOS传输门P4、CMOS传输门P5以及CMOS传输门P6；

与所述CMOS传输门P3以及CMOS传输门P6连接的输出端GRBL；

读字线RWL分别与所述第二NMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极、所述第一电容的另一端、所述第二电容的另一端、位线BL1端以及位线BL2端连接；

字线控制端WL和使能控制端EN分别连接至所述电路的相应电平；

所述正向平均电压输出端Pavg以及反向平均电压值输出端Navg分别与CMOS传输门P1、CMOS传输门P2、CMOS传输门P4以及CMOS传输门P5正向连接以及反向连接。

2.根据权利要求1中所述的基于SRAM实现存储及模拟计算的电路，其特征在于，所述CMOS传输门P1、CMOS传输门P2、CMOS传输门P4以及CMOS传输门P5用于在所述模拟计算流程中需进行正向平均电压值和/或反向平均电压值计算时打开开关；和/或，所述CMOS传输门P3以及CMOS传输门P6用于在所述模拟计算流程中需进行乘法计算时打开开关。

3.根据权利要求2中所述的基于SRAM实现存储及模拟计算的电路，其特征在于，所述模拟计算流程包括：在一个时钟信号内的充电步骤以及计算步骤。

4.根据权利要求3中所述的基于SRAM实现存储及模拟计算的电路，其特征在于，所述充电步骤包括：

当所述读字线RWL、字线控制端WL和使能控制端EN输出为高电平时，所述CMOS传输门P3以及CMOS传输门P6输出为低电平时，所述第一电容和第二电容分别依次充电为SRAM单元中预先存储的输入输出端Q1以及Q2的电压；

当所述读字线RWL、字线控制端WL和使能控制端EN输出为低电平时，所述CMOS传输门P3以及CMOS传输门P6输出为高电平，所述第一电容和第二电容放电到和GRBL电压相同，以完成乘法计算。

5.根据权利要求3中所述的基于SRAM实现存储及模拟计算的电路，其特征在于，所述计算步骤包括：

当输出端GRBL输出为正电压时，所述CMOS传输门P1和CMOS传输门P4接通，所述CMOS传输门P2和CMOS传输门P5关闭，根据所述正向平均电压值输出端Pavg输出的正向平均电压值以及反向平均电压值输出端Navg输出的反向平均电压值相减获得输出电压值；

当输出端GRBL输出为负电压时，所述CMOS传输门P2和CMOS传输门P5接通，所述CMOS传输门P1和CMOS传输门P4关闭，根据输出端Q2的输出与所述输出端GRBL的输出电压值进行乘法计算获得输出电压值。