[发明专利]瞬时电压抑制装置

权利要求书

1.一种瞬时电压抑制装置，其特征在于，包括：

P型半导体层；

第一N型井区，设于所述P型半导体层中；

第一N型重掺杂区与第一P型重掺杂区，设于所述第一N型井区中，并共同耦接第一接脚，其中所述第一P型重掺杂区与所述第一N型井区的底部相离；

第二P型重掺杂区，设于所述第一N型井区内，并与所述第一N型井区的侧壁相离，其中所述第二P型重掺杂区浮接；以及

第二N型重掺杂区，设于所述P型半导体层中，并耦接第二接脚，其中所述第二P型重掺杂区设于所述第一P型重掺杂区与所述第二N型重掺杂区之间；

其中所述第二P型重掺杂区与所述第一N型井区的所述侧壁之间的第一距离小于所述第一P型重掺杂区与所述第一N型井区的所述底部之间的第二距离。

2.如权利要求1所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，更包括第三N型重掺杂区，其设于所述第一N型井区内，所述第三N型重掺杂区为浮接，并直接邻接所述第二P型重掺杂区，且所述第三N型重掺杂区设于所述第一P型重掺杂区与所述第二P型重掺杂区之间。

3.如权利要求2所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，更包括第三P型重掺杂区，其设于所述P型半导体层中，并耦接所述第二接脚。

4.如权利要求3所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，更包括第二N型井区，其设于所述P型半导体层中，所述第二N型重掺杂区与所述第三P型重掺杂区设于所述第二N型井区中。

5.如权利要求4所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，更包括第四P型重掺杂区，其设于所述第二N型井区内，并与所述第二N型井区的侧壁相离，所述第四P型重掺杂区为浮接，所述第四P型重掺杂区设于所述第三P型重掺杂区与所述第一N型重掺杂区之间，且所述第三P型重掺杂区与所述第二N型井区的底部相离。

6.如权利要求5所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述第四P型重掺杂区与所述第二N型井区的所述侧壁之间的第三距离小于所述第三P型重掺杂区与所述第二N型井区的所述底部之间的第四距离。

7.如权利要求5所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，更包括第四N型重掺杂区，其设于所述第二N型井区内，所述第四N型重掺杂区为浮接，并直接邻接所述第四P型重掺杂区，所述第四N型重掺杂区设于所述第三P型重掺杂区与所述第四P型重掺杂区之间。

8.如权利要求5所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述第二P型重掺杂区与所述第一N型井区的所述侧壁之间的距离等于所述第四P型重掺杂区与所述第二N型井区的所述侧壁之间的距离。

9.如权利要求5所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述第一P型重掺杂区与所述第一N型井区的所述底部之间的距离等于所述第三P型重掺杂区与所述第二N型井区的所述底部之间的距离。

10.如权利要求1所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述P型半导体层为P型半导体基板或P型磊晶层。

11.如权利要求1所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，更包括P型井区，其设于所述P型半导体层中，且所述第二N型重掺杂区设于所述P型井区中。

12.如权利要求11所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，更包括第三P型重掺杂区，其设于所述P型井区中，并耦接所述第二接脚。