[发明专利]一种间接式X射线平板探测器及其曝光同步方法有效
申请号: | 202110057826.1 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN112885856B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 李懿馨 | 申请(专利权)人: | 上海品臻影像科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01N23/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王云晓 |
地址: | 200331 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 间接 射线 平板 探测器 及其 曝光 同步 方法 | ||
1.一种间接式X射线平板探测器,其特征在于,包括光电检测面阵;
所述光电检测面阵中各个像素均包括一薄膜晶体管以及一光电二极管;所述光电二极管均与对应的负偏压信号线连接,所述负偏压信号线向对应的所述光电二极管提供预设大小的负偏压;
所述负偏压信号线通过电流比较模块连接处理器,所述电流比较模块用于当所述负偏压信号线内电流大于电流阈值时,向所述处理器发送触发信号;
所述处理器用于根据所述触发信号采集所述光电检测面阵生成的图像;
所述处理器具体用于:
根据所述触发信号从所述图像中确定原始图像和本底图像;
将所述原始图像减去所述本底图像得到实际图像;
所述处理器具体用于:
当所述触发信号的时间点对应采集时间时,略过当前剩余的采集时间;
将所述触发信号的时间点后一采集时间所采集的图像作为原始图像;
将所述触发信号的时间点对应的采集时间所采集到的图像作为本底图像中对应区域的图像;
将所述触发信号的时间点前N倍间隔时间,或所述原始图像所对应采集时间后N倍间隔时间,所采集的图像中对应所述本底图像中剩余区域的图像,作为所述本底图像中剩余区域的图像;所述N不小于2。
2.根据权利要求1所述的间接式X射线平板探测器,其特征在于,全部所述负偏压信号线连接同一负偏压信号总线;所述负偏压信号总线通过所述电流比较模块连接所述处理器。
3.根据权利要求2所述的间接式X射线平板探测器,其特征在于,所述电流比较模块为运算放大器,所述运算放大器的输出端连接所述处理器。
4.根据权利要求3所述的间接式X射线平板探测器,其特征在于,所述处理器为FPGA。
5.一种间接式X射线平板探测器曝光同步方法,其特征在于,应用于处理器,包括:
以相等的间隔时间采集光电检测面阵生成的图像;所述光电检测面阵中各个像素均包括一薄膜晶体管以及一光电二极管;所述光电二极管均与对应的负偏压信号线连接,所述负偏压信号线向对应的所述光电二极管提供预设大小的负偏压;
获取电流比较模块发送的触发信号;所述触发信号为所述电流比较模块当所述负偏压信号线内电流大于电流阈值时所生成的信号;
根据所述触发信号从所述图像中确定实际图像;
所述根据所述触发信号从所述图像中确定实际图像包括:
根据所述触发信号从所述图像中确定原始图像和本底图像;
将所述原始图像减去所述本底图像得到所述实际图像;
所述根据所述触发信号从所述图像中确定原始图像和本底图像包括:
当所述触发信号的时间点对应采集时间时,略过当前剩余的采集时间;
将所述触发信号的时间点后一采集时间所采集的图像作为原始图像;
将所述触发信号的时间点对应的采集时间所采集到的图像作为本底图像中对应区域的图像;
将所述触发信号的时间点前N倍间隔时间,或所述原始图像所对应采集时间后N倍间隔时间,所采集的图像中对应所述本底图像中剩余区域的图像,作为所述本底图像中剩余区域的图像;所述N不小于2。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据所述触发信号从所述图像中确定原始图像和本底图像包括:
当所述触发信号的时间点对应所述间隔时间时,将所述触发信号的时间点前一采集时间所采集的图像作为本底图像,将所述触发信号的时间点后一采集时间所采集的图像作为原始图像。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述将所述触发信号的时间点前N倍间隔时间,或所述原始图像所对应采集时间后N倍间隔时间,所采集的图像中对应所述本底图像中剩余区域的图像,作为所述本底图像中剩余区域的图像包括:
将所述触发信号的时间点前两倍间隔时间,或所述原始图像所对应采集时间后两倍间隔时间,所采集的图像中对应所述本底图像中剩余区域的图像,作为所述本底图像中剩余区域的图像。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述略过当前剩余的采集时间所需的略过时间小于所述采集时间的5%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的