[发明专利]一种间接式X射线平板探测器及其曝光同步方法有效
申请号: | 202110057826.1 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN112885856B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 李懿馨 | 申请(专利权)人: | 上海品臻影像科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01N23/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王云晓 |
地址: | 200331 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 间接 射线 平板 探测器 及其 曝光 同步 方法 | ||
本发明公开了一种间接式X射线平板探测器,当间接式X射线平板探测器接收到X射线时,会作用于光电二极管,从而直接反应于负偏压信号线的漏电流,该漏电流的反应速度远大于光电检测面阵的读取速度,可以依据该漏电流的电话作为触发信号使得处理器可以根据该触发信号实现曝光,从而实现准确的曝光同步。本发明还提供了一种间接式X射线平板探测器曝光同步方法,同样具有上述有益效果。
技术领域
本发明涉及X射线平板探测器技术领域,特别是涉及一种间接式X射线平板探测器以及一种间接式X射线平板探测器曝光同步方法。
背景技术
数字X射线影像系统由X射线源和探测器组成。探测器的图像采集需要与X射线源的曝光同步。这种同步,可以由X射线源的发生器与探测器的有线连接实现,但是这种有线连接通常非常不方便,需要专业的技术人员在了解发生器和探测器的接口设计后才可以实施。有时发生器还不能提供这种连接。因此市场上出现了各种各样的自动曝光同步功能,即探测器与发生器无任何物理连接,但是探测器可以通过不同的方法检测到X射线的曝光,并在短时间内启动探测器的图像采集,实现自动曝光同步。
目前市场上现有的自动曝光同步的解决方案主要是在探测器中安装独立X射线探测器来检测X射线的曝光。该方案在实际情况中由于空间和成本的限制,独立X射线探测器通常都比较小,只能检测局部的X射线。如果X射线只入射到探测器的部分区域,则有可能不会出发独立X射线探测器,从而使曝光同步失效。由于独立的X射线探测器需要安装在光电检测面阵的背后,因此X射线的信号已经被闪烁体大量吸收,因此独立X射线探测器的检测灵敏度会被限制。对于较厚的闪烁体或者是较弱的X射线,独立X射线探测器的灵敏度常常不能满足应用的需求。对于检测X射线通过闪烁体后产生的可见光的独立X射线探测器,一般需要将探测器支撑结构开窗。两者都会导致光电检测面阵的背后结构分布不均匀而有背散射现象,会造成一定程度上的图像伪影。
所以如何实现准确的间接式X射线平板探测器曝光同步是本领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种间接式X射线平板探测器,可以实现准确的曝光同步;本发明的另一目的在于提供一种间接式X射线平板探测器曝光同步方法,可以实现准确的曝光同步。
为解决上述技术问题,本发明提供一种间接式X射线平板探测器,包括光电检测面阵;
所述光电检测面阵中各个像素均包括一薄膜晶体管以及一光电二极管;所述光电二极管均与对应的负偏压信号线连接,所述负偏压信号线向对应的所述光电二极管提供预设大小的负偏压;
所述负偏压信号线通过电流比较模块连接处理器,所述电流比较模块用于当所述负偏压信号线内电流大于电流阈值时,向所述处理器发送触发信号;
所述处理器用于根据所述触发信号采集所述光电检测面阵生成的图像。
可选的,全部所述负偏压信号线连接同一负偏压信号总线;所述负偏压信号总线通过所述电流比较模块连接所述处理器。
可选的,所述电流比较模块为运算放大器,所述运算放大器的输出端连接所述处理器。
可选的,所述处理器为FPGA。
本发明还提供了一种间接式X射线平板探测器曝光同步方法,应用于处理器,包括:
以相等的间隔时间采集光电检测面阵生成的图像;所述光电检测面阵中各个像素均包括一薄膜晶体管以及一光电二极管;所述光电二极管均与对应的负偏压信号线连接,所述负偏压信号线向对应的所述光电二极管提供预设大小的负偏压;
获取电流比较模块发送的触发信号;所述触发信号为所述电流比较模块当所述负偏压信号线内电流大于电流阈值时所生成的信号;
根据所述触发信号从所述图像中确定实际图像。
可选的,所述根据所述触发信号从所述图像中确定实际图像包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的