[发明专利]光刻胶去除方法在审
| 申请号： | 202110057909.0 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN114764219A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 南兑浩;李大烨;丁明正;贺晓彬;刘强;刘金彪;周娜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 | ||
1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上进行光刻胶的沉积、曝光和显影，形成图案化的光刻胶层；
在所述衬底上进行离子注入工艺和/或刻蚀工艺；
最后，利用高温烘烤方式和/或稀释剂腐蚀方式去除所述光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，先利用高温烘烤方式进行所述光刻胶层的去除，再利用稀释剂腐蚀方式去除所述光刻胶层的残余。
3.根据权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，先利用稀释剂腐蚀方式进行所述光刻胶层的去除，再利用高温烘烤方式去除所述光刻胶层的残余。
4.根据权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，利用I-Line光刻胶材料形成所述光刻胶层，并将所述高温烘烤的温度控制在大于350℃以上。
5.根据权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，利用KrF光刻胶材料形成所述光刻胶层，并将所述高温烘烤的温度控制在大于350℃以上。
6.根据权利要求2所述的光刻胶去除方法，其特征在于，利用I-Line光刻胶材料形成所述光刻胶层，将所述高温烘烤的温度控制在大于400℃以上，先利用高温烘烤方式进行所述光刻胶层的去除，再利用稀释剂腐蚀方式去除所述光刻胶层的残余。
7.根据权利要求2所述的光刻胶去除方法，其特征在于，利用KrF光刻胶材料形成所述光刻胶层，将所述高温烘烤的温度控制在大于400℃以上，先利用高温烘烤方式进行所述光刻胶层的去除，再利用稀释剂腐蚀方式去除所述光刻胶层的残余。
8.根据权利要求6或7所述的光刻胶去除方法，其特征在于，将所述高温烘烤的温度控制为470℃。
9.根据权利要求1、4或5所述的光刻胶去除方法，其特征在于，单独利用高温烘烤方式去除所述光刻胶层，将所述高温烘烤的时间控制在大于1分钟以上。
10.根据权利要求1-7中任一项所述的光刻胶去除方法，其特征在于，利用高温烘烤方式和稀释剂腐蚀方式相结合去除所述光刻胶层，将所述高温烘烤的时间和所述稀释剂腐蚀的时间总合控制在大于1分钟以上。
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