[发明专利]光刻胶去除方法

说明书

本发明提供的一种光刻胶去除方法，涉及半导体技术领域，包括：提供衬底；在所述衬底上进行光刻胶的沉积、曝光和显影，形成图案化的光刻胶层；在所述衬底上进行离子注入工艺和/或刻蚀工艺；最后，利用高温烘烤方式和/或稀释剂腐蚀方式去除所述光刻胶层。在上述技术方案中，该光刻胶去除方法与现有的去除方法相比，主要是摒弃了在刻蚀和清理阶段利用灰化法或湿法去除工艺去除光刻胶层的方式，转而在光刻设备中直接实现对光刻胶层的去除操作，有效的提高半导体的制备效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种光刻胶去除方法。

背景技术

半导体制造工艺中经常使用光刻胶，在光刻工艺中，对光刻胶曝光和显影后会在光刻胶层上形成图案化，而为了能够顺利进行后续的膜质沉积工艺，则必须将该光刻胶层去除。现有技术中，光刻胶层的去除通常采用灰化法和湿法去除工艺，但是，这两种去除方法一般在刻蚀过程中进行，会导致半导体制备效率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻胶去除方法，以解决现有技术中光刻胶层去除工艺导致半导体制备效率低下的技术问题。

本发明提供的一种光刻胶去除方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上进行光刻胶的沉积、曝光和显影，形成图案化的光刻胶层；

在所述衬底上进行离子注入工艺和/或刻蚀工艺；

最后，利用高温烘烤方式和/或稀释剂腐蚀方式去除所述光刻胶层。

在上述技术方案中，该光刻胶去除方法与现有的去除方法相比，主要是摒弃了在刻蚀和清理阶段利用灰化法或湿法去除工艺去除光刻胶层的方式，转而在光刻设备中直接实现对光刻胶层的去除操作，有效的提高半导体的制备效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一个实施例提供的光刻胶去除方法的流程图1；

图2为本发明一个实施例提供的光刻胶去除方法的流程图2；

图3为本发明一个实施例提供的光刻胶去除方法的流程图3；

图4为本发明一个实施例提供的光刻胶去除方法的流程图4；

图5为本发明一个实施例提供的I-Line光刻胶材料的分子结构式；

图6为本发明一个实施例提供的KrF光刻胶材料的分子结构式；

图7为本发明一个实施例提供的光刻胶材料的重量与温度关系图重量百分比。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。