[发明专利]一种银胶填充导通孔的转印工艺方法在审
申请号: | 202110059711.6 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN112820695A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 张云青;李磊;史承春 | 申请(专利权)人: | 昆山联滔电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;B05C5/02;B05C11/10;B05D1/26;B05D3/02;B41M1/26 |
代理公司: | 广东有知猫知识产权代理有限公司 44681 | 代理人: | 胡强 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 填充 导通孔 工艺 方法 | ||
本发明提供一种银胶填充导通孔的转印工艺方法,涉及转印工艺银胶填充技术领域,所述银胶填充导通孔的转印工艺方法包括如下步骤:S1,首先将过孔银浆填入过孔中;S2,随后转印内侧图案;S3,随后再转印正面图案,相比于现有技术,通过模具过也及LASER通孔可解决产品正反面线路导通问题,同时也解决了一级外观面上线路与内侧导通问题,利于实际的使用,且操作过程简单和便利,还降低了埋铜钉的成本,并且在降低了成本的同时还解决了铜钉与导电油墨接合问题,进一步提高了创新性,通过点导通银胶及导电银油要以解决填孔内气泡问题,提高了导通性能,并且由于自动点胶机的运用,可以降低人力成本,较为经济。
技术领域
本发明涉及转印工艺银胶填充技术领域,尤其涉及一种银胶填充导通孔的转印工艺方法。
背景技术
随着半导体技术的不断发展,目前存储器制造技术已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构,三维存储器的技术研发是国际研发的主流之一,在半导体的版图中,有源区、多晶硅和金属层之间的连接都需要通过接触孔或导通孔实现。有源区、多晶硅和金属层之间的连接称为接触孔。不同金属层之间的连接称为导通孔。
目前的现有技术存在埋铜柱接风险及结构限制,不利于实际的使用,同时还存在盲孔单面导通结构限制,使得导通性能受到影响,并且还存在一级外观导通性能较低的问题,需要进行改进。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种银胶填充导通孔的转印工艺方法。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:一种银胶填充导通孔的转印工艺方法,所述银胶填充导通孔的转印工艺方法包括如下步骤:
S1,首先将过孔银浆填入过孔中;
S2,随后转印内侧图案;
S3,随后再转印正面图案。
进一步的,在S1中,所述过孔银浆的粘度为2500-2800cp,所述过孔银浆中添加有胺类固化剂或氰类固化剂。
进一步的,在S2中,通过自动点胶机将过孔银浆填入过孔中,所述自动点胶机的针头为内径0.21mm-0.41mm的点胶针头。
进一步的,在S2中,所述自动点胶机的气压为0.35-0.5Mpa,并且采用一次出胶操作和两次下压操作。
进一步的,所述自动点胶机点胶完成后,将产品静置30分钟-60分钟,随后再将所述产品以80度~100度温度烘烤60分钟~120分钟。。
进一步的,所述点胶针头通过螺栓固定安装在自动点胶机的输出端,所述点胶针头为圆柱体结构。
相比于现有技术,通过模具过孔及LASER通孔可解决产品正反面线路导通问题,同时也解决了一级外观面上线路与内侧导通问题,利于实际的使用,还降低了埋铜钉的成本以及解决了铜钉与导电油墨接合问题,进一步提高了创新性,通过点导通银胶及导电银油要以解决填孔内气泡问题,提高了导通性能,并且由于自动点胶机的运用,可以降低人力成本,较为经济。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图
图1为本发明提出一种银胶填充导通孔的转印工艺方法的步骤图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造