[发明专利]存储器件以及形成存储器件的方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

基础衬底；

在所述基础衬底之上交替地堆叠以形成堆叠结构的多个层间电介质层和多个栅极结构；

沿所述堆叠结构的侧壁形成的隧穿层；

沿所述堆叠结构的所述侧壁形成于所述隧穿层上的沟道层；

在垂直于所述隧穿层的方向上形成于所述隧穿层与所述多个栅极结构之间并且形成于邻近层间电介质层之间的电荷捕获层；以及

形成于所述隧穿层上、包覆所述电荷捕获层并且处于邻近层间电介质层之间的阻挡层，其中：

所述阻挡层将所述电荷捕获层与所述多个栅极结构隔开，

所述电荷捕获层的侧表面与所述隧穿层接触，并且

每个栅极结构的一部分与所述隧穿层直接接触。

2.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述多个栅极结构中的每个栅极结构包括顺次形成于对应的层间电介质层之间的高k电介质层、功函数层和金属栅极层。

3.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述多个层间电介质层中的邻近层间电介质层之间的距离处于20nm到40nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述多个层间电介质层由氧化硅组成。

5.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述电荷捕获层由包括氮化硅、氮氧化硅或高k电介质材料中的至少一者的材料组成；以及

所述电荷捕获层在垂直于所述隧穿层的所述方向上的尺寸处于18nm到40nm的范围内。

6.根据权利要求1所述的器件，其中：

每个栅极结构的与所述隧穿层直接接触并且将所述阻挡层与所述邻近层间电介质层隔开的所述部分的厚度处于3nm到5nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述隧穿层由包括氧化硅、氮氧化硅或高k电介质材料中的至少一者的材料组成；以及

所述隧穿层的厚度处于1nm到10nm的范围内。

8.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述阻挡层的厚度处于2nm到10nm的范围内。