[发明专利]用于集成电路封装的分层缺陷检测方法

权利要求书

1.一种用于集成电路封装的分层缺陷检测方法，包括：

在集成电路封装的内置二极体输入管脚施加能够使所述集成电路封装的内部芯片发热的预定电流；

测量所述集成电路封装的内置二极体输入管脚处在多个时间的端电压；以及

根据所述集成电路封装的内置二极体输入管脚处在所述多个时间的端电压，判断所述集成电路封装是否存在分层缺陷，其中，所述分层缺陷是指所述集成电路封装的内部芯片和封装基岛之间分层的封装缺陷。

2.如权利要求1所述的分层缺陷检测方法，其中，根据所述集成电路封装的内置二极体输入管脚处在第一时间的端电压和在第二时间的端电压之间的电压差值，判断所述集成电路封装是否存在所述分层缺陷。

3.如权利要求1所述的分层缺陷检测方法，其中，当所述集成电路封装的内置二极体输入管脚处在所述第一时间的端电压和在所述第二时间的端电压之间的电压差值大于预定阈值时，判定所述集成电路封装存在所述分层缺陷。

4.如权利要求1所述的分层缺陷检测方法，其中，当所述集成电路封装的内置二极体输入管脚处在所述第一时间的端电压和在所述第二时间的端电压之间的电压差值不大于预定阈值时，判定所述集成电路封装不存在所述分层缺陷。

5.如权利要求1至4中任一项所述的分层缺陷检测方法，其中，所述预定电流是在被施加到与所述集成电路封装同批次生产的、存在所述分层缺陷的集成电路封装缺陷品的内置二极体输入管脚时，所述集成电路封装缺陷品的内部芯片发热，使得所述集成电路封装缺陷品的内部芯片和封装基岛之间由分层恢复为接触的负向电流。

6.如权利要求5所述的分层缺陷检测方法，其中，当所述集成电路封装缺陷品的内置二极体输入管脚被施加以所述预定电流时，所述集成电路封装缺陷品的内置二极体输入管脚处在所述第一时间的端电压和在所述第二时间的端电压之间存在断崖式下降。

7.如权利要求5所述的分层缺陷检测方法，还包括：

通过在所述集成电路封装缺陷品的内置二极体输入管脚施加多个不同电流，并在每次施加不同电流时测量所述集成电路封装缺陷品的内置二极体输入管脚处在多个不同时间的端电压，确定所述预定电流、所述第一时间、以及所述第二时间。

8.如权利要求7所述的分层缺陷检测方法，还包括：

在与所述集成电路封装同批次生产的、不存在所述分层缺陷的集成电路封装良品的内置二极体输入管脚施加所述预定电流，并测量所述集成电路封装良品的内置二极体输入管脚处在所述第一时间的端电压和在所述第二时间的端电压之间的电压差值；

在所述集成电路封装缺陷品的内置二极体输入管脚施加所述预定电流，并测量所述集成电路封装缺陷品的内置二极体输入管脚处在所述第一时间的端电压和在所述第二时间的端电压之间的电压差值；以及

通过比较所述集成电路封装良品的内置二极体输入管脚处在所述第一时间的端电压和在所述第二时间的端电压之间的电压差值和所述集成电路封装缺陷品的内置二极体输入管脚处在所述第一时间的端电压和在所述第二时间的端电压之间的电压差值，确定所述预定阈值。