[发明专利]显示装置及显示装置的制备方法

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

衬底基板；

栅极，设置于所述衬底基板上；

栅极绝缘层，设置于所述衬底基板上且包覆所述栅极；

半导体层，设置于所述栅极绝缘层上；

源极和漏极，设置于所述栅极绝缘层上且分别位于所述半导体层的两端；

其中，所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影之间互不重叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述半导体层包括有源层，所述有源层的材料包括非晶型铟镓锌氧化物。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述半导体层包括感光层，所述感光层的材料包括石墨烯、二硫化钼、二碲化钼、硒化钼、硫化亚硒、硫化钨、氮化硼中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影之间的最小间距为1um～5um。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述栅极、所述源极和所述漏极中至少一者上设置有至少一个透光部，所述透光部为贯穿所述栅极、所述源极或者所述漏极的通孔。

6.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备栅极；

在所述衬底基板上制备栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包覆所述栅极；

在所述栅极绝缘层上制备半导体层；

在所述栅极绝缘层上制备源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述半导体层的两端；

其中，所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影之间互不重叠。

7.根据权利要求6所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在制备所述半导体层的步骤中还包括：将非晶型铟镓锌氧化物沉积至所述栅极绝缘层上形成有源层，将感光材料沉积至所述有源层上形成感光层，对所述有源层和所述感光层进行蚀刻处理，图案化形成所述半导体层。

8.根据权利要求6所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在制备所述栅极的步骤中还包括：将导电材料沉积在所述衬底基板上，对所述导电材料进行黄光和刻蚀处理，图案化形成所述栅极；在制备所述源极和所述漏极的步骤中还包括：将导电材料沉积在所述栅极绝缘层和所述半导体层上，对所述导电材料进行黄光和刻蚀处理，图案化形成所述源极和所述漏极。

9.根据权利要求6所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在制备所述栅极、所述源极和所述漏极的步骤中还包括：在所述栅极、所述源极和所述漏极中至少一者上制备至少一个透光部，所述透光部为贯穿所述栅极、所述源极或者所述漏极的通孔。

10.根据权利要求6所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在制备所述栅极绝缘层的步骤中还包括：将氧化硅或者氮化硅沉积至所述衬底基板和所述栅极上形成所述栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的厚度为