[发明专利]显示装置及显示装置的制备方法

说明书

本发明公开了一种显示装置及显示装置的制备方法，所述显示装置包括：衬底基板；栅极，设置于所述衬底基板上；栅极绝缘层，设置于所述衬底基板上且包覆所述栅极；半导体层，设置于所述栅极绝缘层上；源极和漏极，设置于所述栅极绝缘层上且分别位于所述半导体层的两端；其中，所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影之间互不重叠。本发明通过使得所述源极和所述漏极的正投影与所述栅极的正投影之间互不重叠，避免了光线向所述半导体层照射时被所述栅极、所述源极或者所述漏极遮挡，从而扩大了所述半导体层的感光面积，提高了所述显示装置对光的敏感性和响应速度，提升产品质量。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示装置及显示装置的制备方法。

背景技术

低成本和低功耗的光电探测器(Photodetectors)对于智能穿戴产品的应用至关重要，遥感，光度计，热成像，环境监控等。光电探测器主要基于量子点，超晶格和异质结结构等被广泛使用，目前的主要问题是低电荷传输迁移率成为发展的瓶颈。

IGZO TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor，铟镓锌氧化物薄膜晶体管)具有低的亚阈值摆幅(Subthreshold Swing，S.S.)，关态电流密度低，并且具有10–50cm2V-1s-1的高电子迁移率，因此IGZO与光敏感膜层结合后，具有高迁移率的电子传输层的情况，可以更有效地将光转换为电流，因此异质结晶体管光电探测器可以实现高效率和高响应率。现有技术中，显示器件的结构是半导体层采用IGZO+IZO(Indium ZincOxide，铟锌氧化物)，底层的IGZO来调节阈值电压，上层的IZO禁带宽度比较小，吸收光。根据TFT器件电性(开关态电流/阈值电压等)的不同，反应器件受光照强度，波长的不同。然而，常规的BCE(Back Channel Etch，背沟道蚀刻)IGZO结构显示器件半导体层的感光面积较小，对光的灵敏度不够高、响应速度慢。

综上所述，现有技术中存在显示器件半导体层的感光面积较小、对光的灵敏度不够高以及响应速度慢的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种显示装置及显示装置的制备方法，用于解决现有技术中存在的显示器件半导体层的感光面积较小、对光的灵敏度不够高以及响应速度慢等技术问题。

为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种显示装置，其中，包括：

衬底基板；

栅极，设置于所述衬底基板上；

栅极绝缘层，设置于所述衬底基板上且包覆所述栅极；

半导体层，设置于所述栅极绝缘层上；

源极和漏极，设置于所述栅极绝缘层上且分别位于所述半导体层的两端；

其中，所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影之间互不重叠。

在本发明的一些实施例中，所述半导体层包括有源层，所述有源层的材料包括非晶型铟镓锌氧化物。

在本发明的一些实施例中，所述半导体层包括感光层，所述感光层的材料包括石墨烯、二硫化钼、二碲化钼、硒化钼、硫化亚硒、硫化钨、氮化硼中的至少一种。

在本发明的一些实施例中，所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影之间的最小间距为1um～5um。

在本发明的一些实施例中，所述栅极、所述源极和所述漏极中至少一者上设置有至少一个透光部，所述透光部为贯穿所述栅极、所述源极或者所述漏极的通孔。

第二方面，本发明提供一种显示装置的制备方法，所述制备方法用于制备如第一方面中任一所述的显示装置，包括以下步骤：