[发明专利]一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法

权利要求书

1.一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法，其特征在于：包括：

S1、准备好未处理的元器件；

S2、除金搪锡钢网设计：

a：设计制作QFN器件搪锡的工装模具，具体包括卡箍、通过卡箍实现精密固定且完全对称的左侧钢网和右侧钢网、设置在左侧钢网和右侧钢网上的托盘；左侧钢网和右侧钢网设计成L形，使器件能贴合进去；

b：每侧钢网的底面开口大小、侧面开口大小均与器件本体的焊接端子大小一一对应；钢网的开口厚度推荐为0.06-0.1mm，根据实际的QFN器件引线间距进行实际设定；

S3、锡膏印刷：通过钢网将锡膏印刷在器件的焊接端子上，具体实现方法如下：

a：将左侧钢网和右侧钢网通过控制卡箍实现固定，器件放置在钢网上，手捏住钢网的手持部位将钢网倒置，并使用托盘将器件托住固定；

b：锡膏通过刮刀以合适的角度印刷在器件焊接端子上，将卡箍解开并使用工具夹持器件其它两面未搪锡位置，将钢网与锡膏按与贴合面呈135°角度分离，重复上述步骤进行器件另外两边的焊接端子锡膏印刷；

S4、回流焊接：将器件倒放置在没有焊盘的裸PCB板上，使用返修台自带的固定装置固定PCB板，调整设备顶部和底部加热占比率，将热电偶固定在QFN器件旁进行温度实时监测，该返修台共5个温区，各个温区设置温度不同；

S5、完成元器件引脚除金搪锡。

2.根据权利要求1所述的一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法，其特征在于：所述的步骤S3的b中合适的角度为45度—60度。

3.根据权利要求1所述的一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法，其特征在于：所述的步骤S4的加热占比率分别是以顶部加热为主，底部加热为辅设置返修设备，顶部加热为红外加热与热风对流混合加热，底部加热为红外加热。

4.根据权利要求1所述的一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法，其特征在于：所述的步骤S4的各个温区设置具体如下：

升温区：60℃-140℃，将温度上升到锡膏助焊剂活性温度，将加热斜率控制在1.0-2.0℃/S，避免加热速度太快造成器件热冲击损伤；

保温区：140℃-160℃，该区主要是锡膏里助焊剂活化区，去除焊点表面的氧化物，防止焊点再次氧化，加热时间控制在60-90S；

第二次升温区：160℃-220℃，快速达到锡膏熔点温度，将加热斜率控制在0.8-1.5℃/S；

回流区：保持回流最高温度220℃，回流时间10-20s，确保锡膏完全融化，达到除金搪锡的效果；

冷却区：借助压缩空气实现降温。