[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成第一半导体层和第二半导体层交替堆叠在其中的鳍结构；

在所述鳍结构上方形成牺牲栅极结构；

蚀刻所述鳍结构的未被所述牺牲栅极结构覆盖的源极/漏极区，从而形成源极/漏极空间；

穿过所述源极/漏极空间横向蚀刻所述第一半导体层；

在所述蚀刻的第一半导体层中的每个的端部上形成由介电材料制成的内部间隔件；以及

在所述源极/漏极空间中形成源极/漏极外延层以覆盖所述内部间隔件，

其中，所述第一半导体层的至少一个具有沿着所述第一半导体层和第二半导体层的堆叠方向变化的组分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一半导体层中的所述至少一个的横向端具有弯曲形状。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过湿法蚀刻横向蚀刻所述第一半导体层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述湿法蚀刻包括使用H₂O₂、CH₃COOH和HF的混合溶液重复湿法蚀刻，随后进行H₂O清洁。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述内部间隔件通过以下方式形成：

在所述源极/漏极空间中形成介电层；以及

蚀刻所述介电层，从而在所述蚀刻的第一半导体层中的每个的所述端部上保留所述内部间隔件。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括，在横向蚀刻所述第一半导体之前，在所述牺牲栅极结构的侧面上形成侧壁间隔件，

其中，所述侧壁间隔件由不同于所述内部间隔件的材料制成。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述内部间隔件包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述内部间隔件包括SiOC、SiOCN和SiCN中的至少一种。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成第一鳍结构和第二鳍结构，其中，第一半导体层和第二半导体层交替堆叠在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的每个中；

在所述第一鳍结构上方形成第一牺牲栅极结构，并在所述第二鳍结构上方形成第二牺牲栅极结构；

当具有所述第二牺牲栅极结构的所述第二鳍结构受到保护时，

蚀刻所述第一鳍结构的未被所述第一牺牲栅极结构覆盖的源极/漏极区，从而形成第一源极/漏极空间；

横向蚀刻所述第一源极/漏极空间中的所述第一半导体层；

在所述蚀刻的第一半导体层中的每个的端部上形成由介电材料制成的第一内部间隔件；以及

在所述第一源极/漏极空间中形成第一源极/漏极外延层以覆盖所述内部间隔件，从而形成第一结构；

当所述第一结构受到保护时，

蚀刻所述第二鳍结构的源极/漏极区中的未被所述第二牺牲栅极结构覆盖的所述第二半导体层，从而形成第二源极/漏极空间；

穿过所述第二源极/漏极空间横向蚀刻所述第二半导体层；

在所述蚀刻的第二半导体层中的每个的端部上形成由介电材料制成的第二内部间隔件；以及

在所述第二源极/漏极空间中形成第二源极/漏极外延层以覆盖所述第二内部间隔件，从而形成第二结构，

其中，所述第一半导体层中的至少一个具有沿着所述第一半导体层和第二半导体层的堆叠方向变化的组分。

10.一种半导体器件，包含：

半导体线或半导体片，沿着所述衬底上方表面的法线方向设置在衬底上方；

源极/漏极外延层，与所述半导体线或半导体片接触；

栅极介电层，设置在所述半导体线或半导体片的每个沟道区上并环绕所述半导体线或半导体片的每个沟道区；

栅电极层，设置在所述栅极介电层上并环绕每个沟道区；以及

绝缘间隔件，分别设置在由相邻半导体线或半导体片、所述栅电极层和所述源极/漏极区限定的区域中，

其中，所述沟道区由SiGe制成，并且Ge浓度沿所述法线方向变化。