[发明专利]制造半导体器件的方法及半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成第一鳍结构及第二鳍结构；

在所述衬底上方形成隔离绝缘层，使得所述第一鳍结构及第二鳍结构的下部嵌入所述隔离绝缘层中且所述第一鳍结构及第二鳍结构的上部暴露于所述隔离绝缘层；

在所述第一鳍结构及第二鳍结构的沟道区域上方形成栅极结构；

凹进所述第一鳍结构及第二鳍结构的源极/漏极区域；且

在所述凹进的第一鳍结构及第二鳍结构上方形成外延源极/漏极结构，

其中，所述外延源极/漏极结构是具有合并点的合并结构，且

所述合并点的底部距所述隔离绝缘层的上部表面的高度是所述第一鳍结构及第二鳍结构的所述沟道区域距所述隔离绝缘层的所述上部表面的高度的50％或更多。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述合并点的所述底部距所述隔离绝缘层的上部表面的所述高度是所述第一鳍结构及第二鳍结构的所述沟道区域距所述隔离绝缘层的所述上部表面的所述高度的75％或更多。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外延源极/漏极结构包含依次形成于所述凹进的第一鳍结构及第二鳍结构上方的第一外延层、第二外延层、第三外延层及第四外延层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述凹进的第一鳍结构上方的所述第一外延层与所述凹进的第二鳍结构上方的所述第一外延层不合并，且所述第二外延层产生所述合并点。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一外延层包含As且所述第二外延层包含P。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第三外延层包含掺杂有Ge的SiP，且所述第四外延层包含SiP。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二外延层的P浓度是所述第一外延层到所述第四外延层中最高的。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第三外延层与所述第一外延层接触。

9.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成第一鳍结构及第二鳍结构；

在所述衬底上方形成隔离绝缘层，使得所述第一鳍结构及第二鳍结构的下部嵌入所述隔离绝缘层中且所述第一鳍结构及第二鳍结构的上部暴露于所述隔离绝缘层；

在所述第一鳍结构及第二鳍结构的源极/漏极区域的相对侧面上形成鳍侧壁；

凹进所述第一鳍结构及第二鳍结构的源极/漏极区域；

在第一温度下，分别在所述凹进的第一鳍结构及第二鳍结构上方形成第一外延层；

在第二温度下，在所述第一外延层上执行蚀刻操作；

在第三温度下，分别在所述第一外延层上方形成具有与所述第一外延层不同的组合物的第二外延层；

在第四温度下，在所述第二外延层上方形成具有与所述第二外延层不同的组合物的第三外延层；

在第五温度下，在所述第三外延层上执行蚀刻操作，以及

在第六温度下，在所述第三外延层上方形成具有与所述第三外延层不同的组合物的第四外延层。

10.一种半导体器件，包括：

隔离绝缘层，设置在衬底上方；

第一鳍结构及第二鳍结构，设置在所述衬底上方；

栅极结构，设置在所述第一鳍结构及第二鳍结构的沟道区域上方；以及

源极/漏极外延层，设置在所述第一鳍结构及第二鳍结构的源极/漏极区域上方，其中：

所述源极/漏极外延层具有合并结构，所述合并结构具有合并点，且

所述合并点的底部距所述隔离绝缘层的上部表面的高度是所述第一鳍结构及第二鳍结构的所述沟道区域距所述隔离绝缘层的所述上部表面的高度的65％或更多。