[发明专利]GaNFET作为用于快速激光脉冲发生器的储能器

权利要求书

1.一种系统，包括：

光发射器件，耦合到供电电压；

第一场效应晶体管，串联地耦合在所述光发射器件和地之间；和

第二场效应晶体管，包括耦合到所述供电电压的漏极端子，并包括均耦合到地的源极端子和栅极端子，

其中，所述光发射器件被配置为基于通过所述第一场效应晶体管的电流发射激光光脉冲。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第二场效应晶体管与所述光发射器件和第一场效应晶体管并联连接，并被配置为作为固定或可变电容器进行操作。

3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第二场效应晶体管被配置为提供对与光发射器件相关联的寄生电感补偿的电容。

4.根据权利要求1所述的系统，还包括：

控制器，被配置为向所述第一场效应晶体管的栅极端子提供触发脉冲信号，其中所述光发射器件基于触发脉冲信号发射激光脉冲序列。

5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第二场效应晶体管被配置为减少跨越光发射器件的电压的振荡。

6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第二场效应晶体管被配置为减少所述第一场效应晶体管的漏极端子与源极端子之间的负电压。

7.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一场效应晶体管还包括：

耦合到所述光发射器件的漏极端子；

耦合到地的源极端子；和

栅极端子，被配置为从控制器接收触发脉冲的脉冲序列。

8.根据权利要求1所述的系统，其中，第一场效应晶体管或第二场效应晶体管中的至少一个包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、或其组合。

9.根据权利要求1所述的系统，其中，第一场效应晶体管或第二场效应晶体管中的至少一个包括高电子迁移率晶体管(HEMT)。

10.根据权利要求1所述的系统，还包括与光发射器件并联连接的返回二极管。

11.一种电路，包括：

串联地耦合在供电电压和地之间的光发射器件和第一场效应晶体管；

第二场效应晶体管，与光发射器件和第一场效应晶体管并联耦合；和

控制器，被配置为向所述第一场效应晶体管的栅极端子提供触发脉冲，

其中，所述光发射器件被配置为基于触发脉冲发射具有脉冲宽度的激光光脉冲。

12.根据权利要求11所述的电路，其中，所述第二场效应晶体管被配置为提供对与光发射器件相关联的寄生电感补偿的电容。

13.根据权利要求11所述的电路，其中，所述控制器还被配置为向所述第一场效应晶体管的栅极端子提供触发脉冲的脉冲序列。

14.根据权利要求13所述的电路，其中，所述光发射器件被配置为基于触发脉冲的脉冲序列发射激光脉冲序列。

15.根据权利要求11所述的电路，其中，所述第二场效应晶体管被配置为作为固定或可变电容器进行操作。

16.根据权利要求11所述的电路，其中，所述第二场效应晶体管被配置为减少跨越光发射器件的电压的振荡。

17.根据权利要求11所述的电路，其中，所述第二场效应晶体管被配置为减少所述第一场效应晶体管的漏极端子与源极端子之间的负电压。

18.根据权利要求11所述的电路，其中，所述第一场效应晶体管包括：

耦合到所述光发射器件的漏极端子；和

耦合到地的源极端子。