[发明专利]GaNFET作为用于快速激光脉冲发生器的储能器

说明书

本公开涉及系统、电路和方法。示例系统包括光发射器件、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。光发射器件耦合到供电电压。第一场效应晶体管串联地耦合在光发射器件和地之间。第二场效应晶体管包括耦合到供电电压的漏极端子，并包括均耦合到地的源极端子和栅极端子。光发射器件被配置为基于通过第一场效应晶体管的电流发射激光光脉冲。

本申请是申请日为2017年10月13日，申请号为201780063581.5(国际申请号为PCT/US2017/056492)，发明名称为“GaNFET作为用于快速激光脉冲发生器的储能器”的发明专利申请的分案申请。

背景技术

除非本文另有说明，否则本部分中描述的材料不是相对于本申请中的权利要求的现有技术，并且不通过在本部分中的包括而被认为是现有技术。

传统的激光驱动器电路可以向激光光(laser light)发射器件(例如，激光二极管)提供信号(例如，特定电流和/或电压)。反过来，激光光发射器件可以发射恒定的或脉冲化的激光光。然而，操作具有短脉冲长度和/或处于高频率或重复率的传统激光驱动器电路可能产生振铃(ringing)、不稳定、或其它不想要的影响。

例如，在传统的激光脉冲发生器电路中，振铃可以是由寄生电感、固定电容器、和开关场效应晶体管的寄生电容形成的LC协整(LC tank)的结果。增加固定电容器的值可以减少振铃，但是脉冲恢复也可能更慢。

发明内容

本公开一般涉及配置为提供激光光的脉冲的激光系统和激光驱动器电路。

在第一方面，提供了系统。该系统包括触发源、激光二极管、第一场效应晶体管、和第二场效应晶体管。激光二极管耦合到供电电压和第一场效应晶体管的漏极端子。第一场效应晶体管的源极端子耦合到地。第一场效应晶体管的栅极端子耦合到触发源。第二场效应晶体管的漏极端子耦合到供电电压。第二场效应晶体管的源极端子和第二场效应晶体管的栅极端子耦合到地。

在第二方面，提供了电路。该电路包括激光二极管、第一场效应晶体管、和第二场效应晶体管。激光二极管耦合到供电电压和第一场效应晶体管的漏极端子。第一场效应晶体管的源极端子耦合到地。第二场效应晶体管的漏极端子耦合到供电电压。第二场效应晶体管的源极端子和第二场效应晶体管的栅极端子耦合到地。

在第三方面，提供了系统。该系统包括光发射器件、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。光发射器件耦合到供电电压。第一场效应晶体管串联地耦合在光发射器件和地之间。第二场效应晶体管包括耦合到供电电压的漏极端子，并包括均耦合到地的源极端子和栅极端子。光发射器件被配置为基于通过第一场效应晶体管的电流发射激光光脉冲。

在第四方面，提供了电路。该电路包括：光发射器件、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管和控制器。光发射器件和第一场效应晶体管串联地耦合在供电电压和地之间。第二场效应晶体管与光发射器件和第一场效应晶体管并联耦合。控制器被配置为向所述第一场效应晶体管的栅极端子提供触发脉冲。光发射器件被配置为基于触发脉冲发射具有脉冲宽度的激光光脉冲。

在第五方面，提供了方法。该方法包括：用与光发射器件串联耦合的第一场效应晶体管来控制该光发射器件；和提供与同光发射器件和第一场效应晶体管并联耦合的第二场效应晶体管相关联的电容，其中该电容与电流相关联以对与光发射器件相关联的寄生电感进行补偿。

通过阅读以下详细描述，参考适当的附图，其它方面、实施例、和实施方式对于本领域普通技术人员将变得显而易见。

附图说明

图1示出了根据示例实施例的系统。

图2A示出了根据示例实施例的电路。

图2B示出了根据示例实施例的电路。

图3示出了根据示例实施例的集总电路。

图4示出了根据示例实施例的电压波形。

具体实施方式