[发明专利]具有伪填充图案的芯片角落区

权利要求书

1.一种结构，包括：

芯片，包括主动电路区域、位于该主动电路区域中的集成电路以及角落区；以及

多个伪结构，位于该角落区中。

2.如权利要求1所述的结构，其中，该芯片包括衬底，且各伪结构包括该衬底的部分以及位于该衬底的该部分上的伪特征。

3.如权利要求2所述的结构，还包括：

位于该衬底中的多个沟槽隔离区域，各沟槽隔离区域设置于该角落区中，以围绕该多个伪结构的其中之一中所包括的该衬底的该部分。

4.如权利要求2所述的结构，其中，各伪结构中所包括的该伪特征是由多晶硅组成的条带。

5.如权利要求2所述的结构，还包括：

第一沟槽隔离区域，位于该衬底中，

其中，该第一沟槽隔离区域位于该芯片的该主动电路区域与该芯片的该角落区之间。

6.如权利要求5所述的结构，其中，该芯片包括周边，且还包括：

第二沟槽隔离区域，位于该衬底中，该第二沟槽隔离区域围绕该芯片的该周边延伸，且该角落区是被该第一沟槽隔离区域及该第二沟槽隔离区域围绕的该衬底的区域。

7.如权利要求6所述的结构，其中，该第一沟槽隔离区域从该第二沟槽隔离区域的第一部分斜向延伸至该第二沟槽隔离区域的第二部分。

8.如权利要求1所述的结构，其中，该多个伪结构呈阵列设置。

9.如权利要求1所述的结构，其中，该芯片还包括互连结构以及位于该互连结构中的止裂件，该止裂件的部分设置于该角落区上方，且该多个伪结构与该互连结构没有连接。

10.一种结构，包括：

衬底，包括多个芯片以及围绕各芯片设置的多条切割线，各芯片包括主动电路区域、位于该主动电路区域中的集成电路以及角落区；以及

多个伪结构，位于各芯片的该角落区中。

11.如权利要求10所述的结构，其中，各伪结构包括该衬底的部分以及位于该衬底的该部分上的伪特征。

12.如权利要求11所述的结构，还包括：

多个沟槽隔离区域，位于该衬底中，该多个沟槽隔离区域设置于各芯片的该角落区中，以围绕各伪结构中所包括的该衬底的该部分。

13.如权利要求11所述的结构，其中，各伪结构中所包括的该伪特征是由多晶硅组成的条带。

14.如权利要求11所述的结构，还包括：

多个第一沟槽隔离区域，位于该衬底中，各该多个第一沟槽隔离区域位于该多个芯片的其中之一的该主动电路区域与该角落区之间。

15.如权利要求14所述的结构，其中，各芯片包括周边，且还包括：

多个第二沟槽隔离区域，位于该衬底中，各该多个第二沟槽隔离区域围绕该多个芯片的其中之一的该周边延伸，

其中，各芯片的该角落区是被该多个第一沟槽隔离区域的其中之一及该多个第二沟槽隔离区域的其中之一围绕的该衬底的区域。

16.如权利要求15所述的结构，其中，各该多个第一沟槽隔离区域在该多个第二沟槽隔离区域的其中之一的第一部分与第二部分之间斜向延伸。

17.如权利要求10所述的结构，其中，该多个伪结构呈阵列设置。

18.如权利要求10所述的结构，其中，各芯片还包括互连结构以及位于该互连结构中的止裂件，该止裂件的部分设置于该角落区上方，且该多个伪结构与该互连结构没有连接。