[发明专利]一种裂片装置有效
申请号: | 202110078545.4 | 申请日: | 2021-01-20 |
公开(公告)号: | CN112847853B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 张喆;侯煜;李曼;王然;岳嵩;石海燕;张昆鹏;薛美;张紫辰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00;B28D7/04;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/78 |
代理公司: | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人: | 赵永刚 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 裂片 装置 | ||
本发明提供了一种裂片装置,该裂片装置通过使第一裂片头的第一端面及第二端面的夹角不小于90度且小于180度,第一端面粘附晶圆膜,使第二裂片头抵压在晶圆膜的第一面上未覆盖晶圆的区域后,向第一裂片头方向推晶圆膜,使切割道断开。第二裂片头将晶圆膜向第一裂片头方向推晶圆膜时,第一裂片头一侧的晶圆膜不会产生或较小的产生拉伸,使位于该侧的晶圆不会或较少的受影响。位于第一裂片头另一侧的晶圆膜在第二裂片头的挤压下,发生拉伸,该侧的晶圆膜都向同一方向折弯并延伸。使覆盖有晶圆的部分晶圆膜仅在切割道处的折弯,防止晶圆切割道两侧的侧壁碰撞,防止晶圆崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷,防止对晶圆表面的微电路结构造成损伤。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种裂片装置。
背景技术
目前,硅晶圆、碳化硅晶圆经激光切割后未完全切断,在晶圆表面或内部产生纵向和横向的裂痕,需要配套裂片装置将晶圆裂开。现有的裂片装置包含下部刀头、上部左刀头以及上部右刀头,下部刀头竖立安装于工作台上,上部左刀头和上部右刀头位于下部刀头安装座上方,三个刀刃相互平行,上部左刀头和上部右刀头可分合移动。具体应用时,先对晶圆进行覆膜,使晶圆背面粘附在晶圆膜上;之后将晶圆膜固定在绷膜孔上,同时使晶圆表面或内部的切割道与下部刀头的刀刃平行,下部刀头的刀刃顶住切割道,上部左刀头和上部右刀头相互分开并分列在下部刀头的两侧,且分开后的上部右刀头与上部左刀头之间的中心线与下部刀头的刀刃平行。通过升级机构驱动上部右刀头与上部左刀头同时下降压在晶圆上表面,继续下降使晶圆沿切割道裂开,然后上部左刀头和上部右刀头上升,完成一个裂片动作。
采用现有技术中的裂片装置进行裂片时,上部左刀头及上部右刀头不可避免的接触晶圆表面,可能对晶圆造成损伤。同时,上部左刀头和上部右刀头在接触到晶圆表面继续下压时,位于上部的两个刀头和位于下部的刀头分别抵压在晶圆的不同侧,从而会使晶圆折弯。且晶圆在上部左刀头及上部右刀头位置的折弯方向为正V字形折弯,而晶圆在下部刀头位置的折弯方向为倒V字型,晶圆在其他位置并没有折弯,由于晶圆在不同位置的折弯方式不同,从而会使晶圆切割道两侧的侧壁可能发生碰撞。由于晶圆的材料较脆,在晶圆切割道两侧的侧壁发生碰撞时,很可能会导致晶圆的切割道崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷,造成产品良率低下。
发明内容
本发明提供了一种裂片装置,防止晶圆切割道两侧的侧壁发生碰撞,从而防止晶圆的切割道崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷,防止对晶圆表面的微电路结构造成损伤,提高产品良率。
本发明提供了一种裂片装置,该裂片装置用于对经过切割形成有切割道的晶圆进行裂片,该裂片装置包括支撑结构,在支撑结构上设置有承片环、以及用于将晶圆膜固定在承片环上的绷膜框。其中,晶圆膜具有相对的第一面及第二面,晶圆粘附在晶圆膜的第一面上,且晶圆未完全覆盖晶圆膜。在支撑结构上还设置有第一裂片头,第一裂片头具有用于粘附晶圆膜的第二面的第一端面、以及与第一端面相邻接的第二端面。其中,第一端面与第二端面的夹角不小于90度且小于180度,且第一端面与第二端面的交线与切割道对准。在支撑结构上还装配有第二裂片头,且第二裂片头能够沿承片环的轴向滑动,第二裂片头用于抵压在晶圆膜的第一面上未覆盖晶圆的区域后,向第一裂片头方向推晶圆膜,使切割道断开。
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