[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110079132.8 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299624A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张尚杰;卢伟隆;伯特·包柏;安卓·阿可德拉;中村慎吾 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/04;H01L23/10;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：
衬底，所述衬底包括顶侧、底侧和导电结构；
主体，所述主体在所述衬底的所述顶侧上方；
电子组件，所述电子组件在所述衬底的所述顶侧上方且邻近于所述主体，其中所述电子组件包括在所述电子组件的顶侧上的接口元件；
在所述接口元件上方的盖子以及在所述电子组件的所述顶侧与所述盖子之间的密封件；以及
缓冲物，所述缓冲物在所述电子组件与所述主体之间的所述衬底的所述顶侧上方。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电子组件包括组件端子，并且所述半导体装置还包括与所述组件端子和所述衬底的所述导电结构电耦合的内部互连件。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述内部互连件在所述缓冲物中。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述内部互连件在所述主体中。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲物接触所述密封件和所述主体。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲物和所述密封件各自包括不同材料。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲物和所述密封件各自包括相同的连续材料。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述密封件包括覆盖所述接口元件的半透明材料。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括在所述盖子、所述缓冲物和所述主体上方的保护膜。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲物接触所述保护膜。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述主体在所述缓冲物与所述保护膜之间。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲物接触所述盖子的拐角。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲物接触所述盖子的侧边。
14.一种方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底，所述衬底包括顶侧、底侧和导电结构；
提供在所述衬底的所述顶侧上方的电子组件，其中所述电子组件包括在所述电子组件的所述顶侧上的接口元件和组件端子；
提供将所述接口元件和所述导电结构电耦合的内部互连件；
提供在所述接口元件上方的盖子以及在所述电子组件的所述顶侧与所述盖子之间的密封件；以及
提供在所述衬底的所述顶侧上方的主体。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括提供缓冲物，所述缓冲物在所述电子组件的顶侧上方并且接触所述盖子的侧边。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在提供所述盖子之前以及在提供所述主体之前提供所述缓冲物。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括提供在所述盖子上方以及在所述主体上方的保护膜。
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