[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法

说明书

半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，半导体装置包括：衬底，所述衬底包括顶侧、底侧和导电结构；主体，所述主体在所述衬底的所述顶侧上方；电子组件，所述电子组件在所述衬底的所述顶侧上方且邻近于所述主体，其中所述电子组件包括在所述电子组件的顶侧上的接口元件；在所述接口元件上方的盖子以及在所述电子组件的所述顶侧与所述盖子之间的密封件；以及缓冲物，所述缓冲物在所述电子组件与所述主体之间的所述衬底的所述顶侧上。本文中还公开其它实例和相关方法。

技术领域

本公开大体上涉及电子装置，且更确切地说，涉及半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。

背景技术

先前的半导体封装和用于形成半导体封装的方法是不适当的，例如，导致成本过高、可靠性降低、性能相对较低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并参考说明书附图，本领域的技术人员将显而易见常规和传统方法的其它限制和缺点。

发明内容

在本文公开的一个实例中，一种半导体装置包括：衬底，所述衬底包括顶侧、底侧和导电结构；主体，所述主体在所述衬底的所述顶侧上方；电子组件，所述电子组件在所述衬底的所述顶侧上方且邻近于所述主体，其中所述电子组件包括在所述电子组件的顶侧上的接口元件；在所述接口元件上方的盖子以及在所述电子组件的所述顶侧与所述盖子之间的密封件；以及缓冲物，所述缓冲物在所述电子组件与所述主体之间的所述衬底的所述顶侧上方。

在所述一个实例的半导体装置中，所述电子组件包括组件端子，并且所述半导体装置还包括与所述组件端子和所述衬底的所述导电结构电耦合的内部互连件。所述内部互连件在所述缓冲物中。所述内部互连件在所述主体中。所述缓冲物接触所述密封件和所述主体。所述缓冲物和所述密封件各自包括不同材料。所述缓冲物和所述密封件各自包括相同的连续材料。所述密封件包括覆盖所述接口元件的半透明材料。所述半导体装置还包括在所述盖子、所述缓冲物和所述主体上方的保护膜。所述缓冲物接触所述保护膜。所述主体在所述缓冲物与所述保护膜之间。所述缓冲物接触所述盖子的拐角。所述缓冲物接触所述盖子的侧边。

在本文公开的另一个实例中，一种方法包括：提供衬底，所述衬底包括顶侧、底侧和导电结构；提供在所述衬底的所述顶侧上方的电子组件，其中所述电子组件包括在所述电子组件的所述顶侧上的接口元件和组件端子；提供将所述接口元件和所述导电结构电耦合的内部互连件；提供在所述接口元件上方的盖子以及在所述电子组件的所述顶侧与所述盖子之间的密封件；以及提供在所述衬底的所述顶侧上方的主体。

所述另一个实例的方法，还包括在提供所述盖子之前以及在提供所述主体之前提供所述缓冲物。在提供所述盖子之前以及在提供所述主体之前提供所述缓冲物。所述方法还包括提供在所述盖子上方以及在所述主体上方的保护膜。

在本文公开的又一个实例中，一种半导体装置包括：衬底，所述衬底包括顶侧、底侧和导电结构；电子组件，所述电子组件在所述衬底的所述顶侧上方，其中所述电子组件包括在所述电子组件的顶侧上的接口元件和组件端子；内部互连件，所述内部互连件电耦合到所述组件端子和所述导电结构；盖子，所述盖子在所述接口元件上方；密封件，所述密封件在所述电子组件的所述顶侧与所述盖子之间；以及主体，所述主体在所述衬底的所述顶侧上方。

在所述又一个实例的半导体装置中，所述密封件包括接触所述盖子的侧边的缓冲物材料，并且所述组件端子在所述缓冲物中。所述主体接触所述盖子的侧边，所述组件端子在所述密封件中，并且所述内部互连件在所述主体中。

附图说明

图1示出实例半导体装置的截面图。

图2A到图2G示出用于制造实例半导体装置的实例方法的截面图。

图3示出实例半导体装置的截面图。

图4A到图4B示出实例半导体装置的截面图。

图5A到图5E示出用于制造实例半导体装置的实例方法的截面图。