[发明专利]一种基于忆阻器的数据选择器及其IC拓扑结构有效
申请号: | 202110079979.6 | 申请日: | 2021-01-21 |
公开(公告)号: | CN112910457B | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 王丽丹;王紫菱 | 申请(专利权)人: | 西南大学 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20 |
代理公司: | 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙) 50216 | 代理人: | 余锦曦 |
地址: | 400715*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 忆阻器 数据 选择器 及其 ic 拓扑 结构 | ||
本发明公开了一种基于忆阻器的二选一数据选择器电路,该选择器电路包括六个忆阻器和一个NMOS管,其中每两个极性相反的忆阻器串联构成与门或者或门电路,实现相应的与、或逻辑。此外,本发明还将该二选一数据选择器电路映射到忆阻器交叉阵列中。本发明所构建的二选一数据选择器电路不仅具备传统选择器的功能,而且极大减少了传统电路中的CMOS元件数量,大量采用新型元器件忆阻器,因而简化了电路结构,缩小了电路面积,此外由于忆阻器交叉阵列尺寸小,易于高密度集成,且与当前CMOS技术兼容,因此将电路映射到交叉阵列后,进一步提高了电路的集成度和可扩展性。
技术领域
本发明涉及一种基础电路及其集成电路拓扑技术领域,具体涉及一种一种基于忆阻器的数据选择器及其IC拓扑结构。
背景技术
忆阻器是1971年由L.O.Chua提出的第四种基本无源电路元件,并于2008年在惠普实验室得到了实验验证。忆阻器具有非易失性、纳米尺寸、低功耗、高集成度等诸多优点。此外,无论是在电学特性还是在器件制备上,忆阻器都可以很好的与当前的CMOS技术兼容。
自忆阻器在2010年被惠普实验室证明能够执行IMPLY(实质蕴涵逻辑),越来越多的研究人员正在探索中其在各种逻辑操作中的应用。如先前提出的MAGIC(memristor-aided logic)逻辑,MRL(memristorratioed logic)逻辑,MAD(memristors-as-drivers)逻辑等。然而,相关的研究主要集中如或门、与门这种的基本门电路或加法器上,很少由涉及到数据选择器。实际上,在数字信号的传输过程中,需要经常使用数据选择器。它能够经过选择,把多个通道的数据传送到某一数据通道上去,从而实现数据选择功能。数据选择器也常被称为多路选择器或多路开关。
二选一数据选择器电路是最基本的数据选择器电路,可以通过它进一步实现四选一、八选一等数据选择器电路。
二选一数据选择器逻辑表达式如下所示:
其中S是数据选择控制端,A和B分别为两个输入端。当S为逻辑0时选择A,即Y端输出为A,当S为逻辑1时选择B,即Y端输出为B。
根据其逻辑表达式可列出以下真值表:
现有数据选择器一般是采用多个CMOS管构成。CMOS管功耗大,且其尺寸正接近物理极限,而摩尔定律也即将失效,面对这些困境,需要寻求新的低功耗、易于高密度集成的器件来搭建电路。
发明内容
为解决以上的技术问题,本发明提供了一种基于忆阻器的数据选择器及其IC拓扑结构。
本发明利用MRL逻辑与CMOS技术的兼容性,设计了一种基于忆阻器的二选一数据选择器电路,该电路包括六个忆阻器和一个NMOS管,其中每两个极性相反的忆阻器串联构成与门或者或门电路,实现相应的与、或逻辑。本发明所构建的二选一数据选择器电路不仅具备传统选择器的功能,而且极大减少了传统电路中的CMOS元件数量,大量采用新型元器件忆阻器,因而相比传统纯CMOS数据选择器电路,本发明简化了电路结构,缩小了电路面积。此外,本发明还将该电路映射到忆阻器交叉阵列中,由于忆阻器交叉阵列尺寸小,易于高密度集成,且与当前CMOS技术兼容,在将电路映射到交叉阵列后,进一步提高了电路的集成度和可扩展性。
本发明技术方案如下:
一种基于忆阻器的数据选择器,其关键在于:由一级与门、一级或门,选择MOS管,二级或门组成;
其中一级或门由第一忆阻器M1和第二忆阻器M2组成,二者的负极相连,为一级或门的输出端,二者的正极为一级或门的两个输入端;
一级与门由第三忆阻器M3和第四忆阻器M4组成,二者的正极相连,为一级与门的输出端,二者的负极为一级与门的两个输入端;
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