[发明专利]芯片测试方法、装置与电子设备有效
申请号: | 202110087574.7 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN112904179B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 高航 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 孙宝海;袁礼君 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 测试 方法 装置 电子设备 | ||
1.一种芯片测试方法,其特征在于,包括:
根据目标芯片的焊垫分布信息确定所述目标芯片中设定状态焊垫的位置和非设定状态焊垫的位置,所述设定状态焊垫为具有设定状态的焊垫,所述设定状态包括第一电压状态或第二电压状态;
根据所述设定状态焊垫的位置和所述非设定状态焊垫的位置确定多个焊垫状态设置方案,所述焊垫状态设置方案包括将每个所述非设定状态焊垫设置为所述第一电压状态或所述第二电压状态;
根据每个所述焊垫状态设置方案中压差焊垫对的信息确定符合预设条件的测试电压设置方案,所述压差焊垫对由状态不同的两个相邻焊垫构成;
其中,所述根据所述设定状态焊垫的位置和所述非设定状态焊垫的位置确定多个焊垫状态设置方案包括:
确定所述目标芯片中每个所述设定状态焊垫的设定状态;
当一个所述设定状态焊垫的设定状态为第一电压状态时,将与所述设定状态焊垫相邻的至少一个非设定状态焊垫确定为第二电压状态,或者,当一个所述设定状态焊垫的设定状态为第二电压状态时,将与所述设定状态焊垫相邻的至少一个非设定状态焊垫确定为第一电压状态;
当确定一个所述非设定状态焊垫为第一电压状态时,将其相邻的至少一个非设定状态焊垫确定为第二电压状态,或者,当确定一个所述非设定状态焊垫为第二电压状态时,将其相邻的至少一个非设定状态焊垫确定为第一电压状态。
2.如权利要求1所述的芯片测试方法,其特征在于,所述根据每个所述焊垫状态设置方案中压差焊垫对的信息确定符合预设条件的测试电压设置方案包括:
获取每个所述焊垫状态设置方案中压差焊垫对的数量;
获取所述压差焊垫对的数量最多的焊垫状态设置方案中每个被设置为第一电压状态的焊垫在所述第一电压状态的电压,以及每个被设置为第二电压状态的焊垫在所述第二电压状态的电压;
根据每个所述焊垫的所述第一电压状态的电压或所述第二电压状态的电压确定所述测试电压设置方案。
3.如权利要求1所述的芯片测试方法,其特征在于,所述根据每个所述焊垫状态设置方案中压差焊垫对的信息确定符合预设条件的测试电压设置方案包括:
获取每个所述焊垫状态设置方案中压差焊垫对在所述目标芯片中的位置;
根据所述压差焊垫对在所述目标芯片中的位置,确定每个所述焊垫状态设置方案对应的压差焊垫占用面积;
获取所述压差焊垫占用面积最大的焊垫状态设置方案中每个被设置为第一电压状态的焊垫在所述第一电压状态的电压,以及每个被设置为第二电压状态的焊垫在所述第二电压状态的电压;
根据每个所述焊垫的所述第一电压状态的电压或所述第二电压状态的电压确定所述测试电压设置方案。
4.如权利要求1所述的芯片测试方法,其特征在于,每个焊垫的所述第一电压状态为连接所述焊垫的设计最高电压状态,所述第二电压状态为连接所述焊垫的设计最低电压状态。
5.如权利要求1所述的芯片测试方法,其特征在于,所述设定状态焊垫包括电源焊垫、接地焊垫以及设定偏压焊垫,所述设定偏压焊垫用于设置所述目标芯片处于低功耗状态。
6.如权利要求1所述的芯片测试方法,其特征在于,还包括:
根据所述目标芯片的焊垫与锡球的对应关系,对所述目标芯片的锡球按所述测试电压设置方案加压并对所述目标芯片进行环境测试。
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