[发明专利]一种发光器件的封装结构有效

专利信息
申请号: 202110088527.4 申请日: 2021-01-22
公开(公告)号: CN112420903B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 覃志伟;邓群雄;郭文平 申请(专利权)人: 山东元旭光电股份有限公司
主分类号: H01L33/52 分类号: H01L33/52;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 北京中知君达知识产权代理有限公司 11769 代理人: 李辰;黄启法
地址: 261000 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光 器件 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种发光器件的封装结构,其特征在于,包括:导热基板、第一电路、发光芯片以及光反射模组;其中,

所述第一电路固定设置于所述导热基板上,所述发光芯片固定设置于所述第一电路上,且所述发光芯片与所述第一电路电连接,所述导热基板10为氮化铝陶瓷基板,其厚度为500μm、长度为5mm、宽度为5mm;

所述光反射模组全部固定设置于所述第一电路上,所述光反射模组用于将所述发光芯片发出的光信号沿第一方向反射出去,其中,所述第一方向为所述发光器件的出光方向,所述光反射模组的顶部与所述发光芯片的距离不大于100μm,所述光反射模组的结构根据所述发光芯片的光信号的出射方向和/或辐射范围来调整;

所述封装结构还包括:第三电路,所述第三电路固定设置于所述第一电路上,且所述第三电路与所述第一电路电连接;

所述发光芯片固定设置于所述第三电路上,且所述发光芯片与所述第三电路电连接;

所述第三电路的厚度为100μm~120μm;

所述封装结构还包括齐纳芯片,所述齐纳芯片固定设置在所述第一电路上,当所述齐纳芯片为倒装芯片时,其正负电极通过金锡共晶、锡膏或导电银胶中的一种方式与所述第一电路的正负电路连接,当所述齐纳芯片为正装芯片时,其正负电极通过焊线的方式与所述第一电路的正负电路连接。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述光反射模组为一中空且上下两端开口的立体结构,所述光反射模组的底部与所述第一电路固定连接,所述发光芯片被圈设在所述光反射模组内部,所述光反射模组的顶部开口朝向所述第一方向。

3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述光反射模组为一中空且顶部开口的立体结构,所述光反射模组的底部与所述第一电路固定连接,所述发光芯片设置于所述光反射模组内,所述光反射模组的顶部开口朝向所述第一方向。

4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述光反射模组的底部开设有至少两个第一通孔,所述发光芯片通过所述至少两个第一通孔与所述第一电路电连接。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括:第二电路,所述第二电路固定设置于所述导热基板的下方,且所述第一电路与所述第二电路电连接。

6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述导热基板上开设有至少两个第二通孔,所述第一电路与所述第二电路通过所述至少两个第二通孔电连接。

7.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述第一电路包括第一正极电路和第一负极电路,所述第二电路包括第二正极电路和第二负极电路,所述第一正极电路与所述第二正极电路电连接,所述第一负极电路与所述第二负极电路电连接。

8.根据权利要求1-7任一所述的封装结构,其特征在于,所述光反射模组的内侧壁下边缘与所述第三电路的侧面下边缘之间的距离小于或等于10微米。

9.根据权利要求1-7任一所述的封装结构,其特征在于,所述发光芯片通过金锡共晶、锡膏或导电银胶中的其中一种方式与所述第三电路电连接。

10.根据权利要求1或2所述的封装结构,其特征在于,所述光反射模组是由具备反射功能的金属材料制成的;或者,所述光反射模组的内侧壁上镀有具备反射功能的金属层或镀有具备反射功能的分布式布拉格反射镜DBR薄膜。

11.根据权利要求3或4所述的封装结构,其特征在于,所述光反射模组的内侧壁和底面上镀有具备反射功能的分布式布拉格反射镜DBR薄膜。

12.根据权利要求1-7任一所述的封装结构,其特征在于,所述光反射模组与所述发光芯片之间填充有透光材料。

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