[发明专利]一种存储器的编程方法及存储器

权利要求书

1.一种存储器的编程方法，应用于存储器，所述存储器包括多列存储单元，每一列存储单元的漏极连接相同的位线BL，每一行所述存储单元的栅端连接相同的字线WL，每一行存储单元的源级连接相同的源级线SL，构成共源端VS，所述共源端VS与第一电容C_S连接，且接地，其特征在于，所述存储器还包括与所述共源端VS连接的限流电路，所述限流电路与所述第一电容C_S并联，所述第一电容Cs为Nor flash阵列块共源端VS对地总的寄生电容，所述方法包括：

在对选中的存储单元进行编程的过程中，利用所述限流电路调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流；

根据调节后的所述存储单元漏端和源端的电流，对所述选中的存储单元进行编程。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述限流电路包括开关管，所述利用所述限流电路调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流，包括：

确定所述选中的存储单元所处的位线BL和字线WL；

将所述位线BL的电压偏置至预设第一电压，所述字线WL的电压偏置至预设第二电压，控制所述开关管断开，所述共源端VS处于浮空状态，根据所述位线BL的电压调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述限流电路包括开关管和可调电容Ca，所述可调电容Ca与所述第一电容C_S并联，所述利用所述限流电路调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流，包括：

确定所述选中的存储单元所处的位线BL和字线WL；

将所述位线BL的电压偏置至预设第一电压，所述字线WL的电压偏置至预设第二电压，控制所述开关管断开，所述共源端VS处于浮空状态，根据所述位线BL的电压和可调电容Ca，调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述限流电路包括限流电阻，所述利用所述限流电路调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流，包括：

确定所述选中的存储单元所处的位线BL和字线WL；

根据所述位线BL的电压和所述限流电阻的电阻，调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述根据调节后的所述选中的存储单元漏端和源端的电流，对所述选中的存储单元进行编程包括：

所述选中的存储单元阵列块漏端和源端基于所述选中的存储单元阵列块漏端和源端的电流产生的热电子，将所述热电子注入所述存储单元的电荷浮获层，使所述选中的存储单元的阈值电压上升至编程状态电压。

6.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括多列存储单元，每一列存储单元的漏极连接相同的位线BL，每一行所述存储单元的栅端连接相同的字线WL，每一行存储单元的源级连接相同的源级线SL，构成共源端VS，所述共源端VS与第一电容C_S连接，且接地，其特征在于，所述存储器还包括与所述共源端VS连接的限流电路，所述第一电容Cs为Nor flash阵列块共源端VS对地总的寄生电容；

在对选中的存储单元进行编程的过程中，利用所述限流电路调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流；根据调节后的所述存储单元漏端和源端的电流，对所述选中的存储单元进行编程。

7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述限流电路包括开关管；

所述利用所述限流电路调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流的存储器，具体用于：确定所述选中的存储单元所处的位线BL和字线WL；将所述位线BL的电压偏置至预设第一电压，所述字线WL的电压偏置至预设第二电压，控制所述开关管断开，所述共源端VS处于浮空状态，根据所述位线BL的电压调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流。