[发明专利]一种存储器的编程方法及存储器

说明书

本发明提供一种存储器的编程方法及存储器，该方法包括：在对选中的存储单元进行编程的过程中，利用限流电路调节选中的存储单元漏端和源端的电流；根据调节后的存储单元漏端和源端的电流，对选中的存储单元进行编程。在本方案中，不需要片上高压电荷泵提供很大的编程电流，通过限流电路调节选中的存储单元漏端和源端的电流，以对选中的存储单元进行编程，能够减少存储器的芯片的面积，且能够减少存储器编程的功耗。

技术领域

本发明涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种存储器的编程方法及存储器。

背景技术

随着便携式电子产品的快速发展，特别是在工艺特征尺寸小于65nnm以后，闪存芯片存储区域为了节约芯片面积，一般都采用物理集中放置，构成一个物理存储矩阵，在逻辑上，每个物理存储矩阵被分成多个存储单元。在对存储单元进行编程时，常对选中的存储单元偏置正常编程高压，以通过沟道热载流子注入效应(CHE)机制将沟道热电子注入存储单元，当热载流子浓度达到一定程度后才能进行有效编程。由于使用沟道热载流子注入(CHE)机制进行存储阵列的编程时需要对BL提供较大的编程电流，因此需要驱动能力足够强的片上高压电荷泵才能够提供很大的编程电流，从而导致存储器的芯片面积较大，且存储器编程的功耗较大。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种存储器的编程方法及存储器，以解决现有技术中存储器的芯片面积较大，且存储器编程的功耗较大的问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

本发明实施例一方面提供了一种存储器的编程方法，应用于存储器，所述存储器包括多列存储单元，每一列存储单元的漏极连接相同的位线BL，每一行所述存储单元的栅端连接相同的字线WL，每一行存储单元的源级连接相同的源级线SL，构成共源端VS，所述共源端VS与第一电容C_S连接，且接地，所述存储器还包括与所述共源端VS连接的限流电路，所述限流电路与所述第一电容C_S并联，所述第一电容Cs为Nor flash阵列块共源端VS对地总的寄生电容，所述方法包括：

在对选中的存储单元进行编程的过程中，利用所述限流电路调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流；

根据调节后的所述存储单元漏端和源端的电流，对所述选中的存储单元进行编程。

可选的，所述限流电路包括开关管，所述利用所述限流电路调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流，包括：

确定所述选中的存储单元所处的位线BL和字线WL；

将所述位线BL的电压偏置至预设第一电压，所述字线WL的电压偏置至预设第二电压，控制所述开关管断开，所述共源端VS处于浮空状态，根据所述位线BL的电压调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流。

可选的，所述限流电路包括开关管和可调电容Ca，所述可调电容Ca与所述第一电容C_S并联，所述利用所述限流电路调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流，包括：

确定所述选中的存储单元所处的位线BL和字线WL；

将所述位线BL的电压偏置至预设第一电压，所述字线WL的电压偏置至预设第二电压，控制所述开关管断开，所述共源端VS处于浮空状态，根据所述位线BL的电压和可调电容Ca，调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流。

可选的，所述限流电路包括限流电阻，所述利用所述限流电路调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流，包括：

确定所述选中的存储单元所处的位线BL和字线WL；

根据所述位线BL的电压和所述限流电阻的电阻，调节所述选中的存储单元漏端和源端的电流。

可选的，所述根据调节后的所述选中的存储单元漏端和源端的电流，对所述选中的存储单元进行编程包括：