[发明专利]化合物、聚合物、图案形成材料、图案形成方法及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种化合物，其以下述通式(1)表示，

[化1]

(其中，所述通式(1)中，R¹是氢原子或甲基，R²分别独立地是α碳为伯碳、仲碳或叔碳的碳数2～14的烃基，Q是单键、氢原子可以被卤素原子取代的碳数1～20的烃基、或者在氢原子可以被卤素原子取代的碳数1～20的烃基的碳-碳原子间或键末端含有氧原子、氮原子或硫原子的有机基，X及Y分别独立地是氢原子或碳数1～4的烃基，其中至少1个为碳数1～4的烃基)。

2.一种化合物，其以下述通式(2)表示，

[化2]

(其中，所述通式(2)中，R¹是氢原子或甲基，R²是α碳为伯碳、仲碳或叔碳的碳数2～14的烃基，Q是单键、氢原子可以被卤素原子取代的碳数1～20的烃基、或者在氢原子可以被卤素原子取代的碳数1～20的烃基的碳-碳原子间或键末端含有氧原子、氮原子或硫原子的有机基，X分别独立地是氢原子或碳数2～4的烃基，且至少1个为碳数2～4的烃基)。

3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中所述通式(1)或(2)中，R²分别独立地是乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基。

4.根据权利要求1或2所述的化合物，其中所述通式(1)或(2)中，X及Y所具有的烃基为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基。

5.一种聚合物，其包含源自根据权利要求1至4中任一项所述的化合物的单体单元。

6.一种图案形成材料，在如下情况下使用，即，在具有被加工膜的衬底的所述被加工膜上，使用图案形成材料形成有机膜并进行图案化之后，将使金属化合物含浸在所述有机膜中所得的复合膜作为掩模图案而对所述被加工膜进行加工时，且该图案形成材料含有包含下述通式(3)或(4)所表示的单体单元的聚合物，

[化3]

[化4]

(其中，所述通式(3)及(4)中，R¹是氢原子或甲基，R²分别独立地是α碳为伯碳、仲碳或叔碳的碳数2～14的烃基，Q是单键、氢原子可以被卤素原子取代的碳数1～20的烃基、或者在氢原子可以被卤素原子取代的碳数1～20的烃基的碳-碳原子间或键末端含有氧原子、氮原子或硫原子的有机基，X及Y分别独立地是氢原子或碳数1～4的烃基，其中至少1个为碳数1～4的烃基)。

7.根据权利要求6所述的图案形成材料，其中所述通式(3)或(4)中，R²为乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基。

8.一种图案形成方法，其是在衬底上使用图案形成材料形成有机膜并将所述有机膜图案化之后，使金属化合物含浸在所述有机膜中形成复合膜，从而获得由所述复合膜构成的掩模图案的图案形成方法，且所述图案形成材料含有包含下述通式(3)或(4)所表示的单体单元的聚合物，

[化5]

[化6]

(其中，所述通式(3)及(4)中，R¹是氢原子或甲基，R²分别独立地是α碳为伯碳、仲碳或叔碳的碳数2～14的烃基，Q是单键、氢原子可以被卤素原子取代的碳数1～20的烃基、或者在氢原子可以被卤素原子取代的碳数1～20的烃基的碳-碳原子间或键末端含有氧原子、氮原子或硫原子的有机基，X及Y分别独立地是氢原子或碳数1～4的烃基，其中至少1个为碳数1～4的烃基)。

9.根据权利要求8所述的图案形成方法，其中所述通式(3)或(4)中，R²为乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基。