[发明专利]化合物、聚合物、图案形成材料、图案形成方法及半导体装置的制造方法

说明书

本申请发明涉及一种化合物、聚合物、图案形成材料、图案形成方法及半导体装置的制造方法。本发明的图案形成材料在如下情况下使用，即，在具有被加工膜的衬底的被加工膜上，使用图案形成材料形成有机膜并进行图案化之后，将使金属化合物含浸在有机膜中所得的复合膜作为掩模图案而对被加工膜进行加工时，且本发明的图案形成材料含有包含下述通式(3)所表示的单体单元的聚合物。[化1]其中，R¹是H或CH₃，R²是α碳为伯碳、仲碳或叔碳的C_2‑14的烃基，Q是氢原子可以被卤素原子取代的C_1‑20的烃基、或者在氢原子可以被卤素原子取代的C_1‑20的烃基的碳‑碳原子间或键末端含有氧原子、氮原子或硫原子的有机基，X及Y分别独立地是氢原子或C_1‑4的烃基，其中至少1个为C_1‑4的烃基。

相关申请的交叉参考

本申请是基于2020年9月18日提出申请的现有日本专利申请第2020-157383号的优先权而主张优先权利益，并通过引用将其全部内容并入本文中。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种化合物、聚合物、图案形成材料、图案形成方法及半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，对于形成纵横比较高的图案的技术的需求日渐提高。此类工序中所使用的掩模图案被长时间暴露在蚀刻气体中，因此要求较高的耐蚀刻性。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够制造可用作图案形成材料的聚合物的聚合性化合物、使用该化合物所获得的聚合物。进而，本发明的实施方式提供一种图案形成材料、使用该图案形成材料的图案形成方法及半导体装置的制造方法，所述图案形成材料能够制造由具有较高的耐蚀刻性的含金属有机膜构成的掩模图案。

一实施方式提供一种化合物，其以下述通式(1)所表示(以下称为化合物(1))；及一种聚合物，其包含从源自化合物(1)的单体单元中选择的单体单元。

[化1]

此外，本实施方式提供一种化合物，其下述通式(2)所表示(以下称为化合物(2))；及一种聚合物，其包含从源自化合物(2)的单体单元中选择的单体单元。

[化2]

其中，所述通式(1)及(2)中，R¹是氢原子或甲基，R²分别独立地是α碳为伯碳、仲碳或叔碳的碳数2～14的烃基，Q是单键、氢原子可以被卤素原子取代的碳数1～20的烃基、或者在氢原子可以被卤素原子取代的碳数1～20的烃基的碳-碳原子间或键末端含有氧原子、氮原子或硫原子的有机基，X及Y分别独立地是氢原子或碳数1～4的烃基，其中至少1个为碳数1～4的烃基。

进而，本实施方式提供一种图案形成材料、使用该图案形成材料的图案形成方法及半导体装置的制造方法，所述图案形成材料包含具有如下单体单元的聚合物，所述单体单元从源自化合物(1)及(2)的单体单元选择。

根据上述构成，能够提供一种能够制造可用作图案形成材料的聚合物的聚合性化合物、使用该化合物获得的聚合物。

附图说明

图1A是表示实施方式的半导体装置的制造方法的一工序的图。

图1B是表示实施方式的半导体装置的制造方法的一工序的图。

图1C是表示实施方式的半导体装置的制造方法的一工序的图。

图1D是表示实施方式的半导体装置的制造方法的一工序的图。

图1E是表示实施方式的半导体装置的制造方法的一工序的图。

具体实施方式

以下，参照附图对本实施方式进行详细说明。另外，本发明并不受下述实施方式限定。此外，下述实施方式的构成要素中，包括可以由本领域技术人员能够轻易想到的要素或实质上相同的要素。