[发明专利]一种肖特基整流管制造方法及肖特基整流管

说明书

本发明提供了一种肖特基整流管制造方法及肖特基整流管，包括第一封装壳、第二封装壳、第一端子、第二端子、第三端子、肖特基芯片，所述第一封装壳与所述第二封装壳扣合连接，所述第一端子、第二端子与第一封装壳一体化成型，所述第三端子与所述第二封装壳一体化成型。本发明的肖特基整流管制造方法及肖特基整流管，通过冲切成型、注塑成型、芯片固定、扣合成型工序就能完成肖特基整流管的制造，结构简单，步骤少，制造效率高。

技术领域

本发明涉及肖特基整流管技术领域，具体涉及一种肖特基整流管制造方法及肖特基整流管。

背景技术

肖特基整流管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

肖特基整流管的加工过程通常包括焊接、酸洗、上胶、白胶固化、模压、成型固化、祛除残胶、电镀、印字、烘烤等工序。采用上述常规的加工工序生产肖特基整流管，工序繁琐，加工效率低。

发明内容

针对以上问题，本发明提供一种肖特基整流管制造方法及肖特基整流管，通过冲切成型、注塑成型、芯片固定、扣合成型工序就能完成肖特基整流管的制造，结构简单，步骤少，制造效率高。

为实现上述目的，本发明通过以下技术方案来解决：

一种肖特基整流管，包括第一封装壳、第二封装壳、第一端子、第二端子、第三端子、肖特基芯片，所述第一封装壳与所述第二封装壳扣合连接，所述第一端子、第二端子与第一封装壳一体化成型，所述第三端子与所述第二封装壳一体化成型；

所述第一端子包括第一接触部、第一延伸部，所述第一封装壳上形成有第一镂空槽，所述第一镂空槽位于所述第一接触部上侧，所述第一延伸部位于所述第一封装壳外侧；

所述第二端子包括第二接触部、第二延伸部，所述第一封装壳上形成有第二镂空槽，所述第二镂空槽位于所述第二接触部上侧，所述第二延伸部位于所述第二封装壳外侧；

所述第三端子包括第三接触部、弯折部、第四接触部，所述第二封装壳上形成有第三镂空槽，所述第三镂空槽位于所述第三接触部上侧，所述第四接触部位于所述第二封装壳外侧；所述肖特基芯片上下两端分别位于所述第三镂空槽、第二镂空槽内侧，所述肖特基芯片上端与所述第二接触部相抵触，所述肖特基芯片下端与所述第三接触部相抵触，所述第四接触部上端位于所述第一镂空槽内侧，所述第四接触部与所述第一接触部相抵触。

具体的，所述第一封装壳靠向所述第二封装壳一端设有扣子，所述第二封装壳上设有与所述扣子相配合的扣槽。

具体的，所述第三镂空槽内还设有耐高温胶，所述耐高温胶填充在肖特基芯片边缘。

具体的，所述第一封装壳、第二封装壳的交接处外侧还涂覆有一层防水涂层。

具体的，所述第二封装壳上还设有通孔。

一种肖特基整流管制造方法，包括以下步骤：

S1冲切成型：准备三个合金片材，三个合金片材经过裁切、冲压后分别得到第一端子、第二端子、第三端子；