[发明专利]体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

谐振器，包括顺序堆叠在基板上的第一电极、压电层和第二电极；以及

插入层，设置在所述压电层下方，且被构造为部分地升高所述压电层和所述第二电极，

其中，所述插入层利用包含硅、氧和氮的材料形成。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，包含在所述插入层中的氮的at％含量是整个所述插入层的硅、氧和氮的总at％含量的0.86％或更高，并且低于氧的at％含量。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述压电层利用氮化铝和掺杂钪的氮化铝中的一种形成。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极利用钼形成。

5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述插入层利用具有低于所述第一电极和所述压电层的声阻抗的声阻抗的材料形成。

6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述谐振器包括设置在中央区域中的中央部以及设置在所述中央部的外围处的延伸部，

所述插入层设置在所述谐振器的所述延伸部中，

所述插入层具有倾斜表面，所述倾斜表面的厚度随着距所述中央部的距离增加而增加，并且

所述压电层包括设置在所述插入层的所述倾斜表面上的倾斜部。

7.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其中，在切割穿过所述谐振器的截面中，所述第二电极的端部设置在所述中央部和所述延伸部之间的边界处，或者设置在所述倾斜部上。

8.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其中，所述压电层包括设置在所述中央部中的压电部，以及从所述倾斜部向外延伸的延伸部，并且

所述第二电极的至少一部分设置在所述压电层的所述延伸部上。

9.一种制造体声波谐振器的方法，所述方法包括：

形成谐振器，在所述谐振器中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠，

其中，所述谐振器的形成包括：在所述第一电极下方形成插入层，或者，在所述第一电极与所述压电层之间形成插入层以部分地升高所述压电层和所述第二电极，且

其中，所述插入层利用包含硅、氧和氮的材料形成。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，包含在所述插入层中的氮的at％含量是整个所述插入层的硅、氧和氮的总at％含量的0.86％或更高，并且低于氧的at％含量。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，通过混合SiH₄和N₂O气体来形成所述插入层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述插入层通过化学气相沉积方法并且通过应用下式来形成：

SiH₄+N₂O→SiO_xN_y+H₂。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，通过以预定比混合SiH₄、O₂和N₂气体来形成所述插入层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述插入层通过化学气相沉积方法，并且随后应用下式形成：

SiH₄+O₂+N₂→SiO_xN_y+H₂。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述插入层利用氮化铝和掺杂钪的氮化铝中的一种形成。