[发明专利]有机发光器件、显示装置以及制作方法

权利要求书

1.一种有机发光器件，其特征在于，包括层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中，

所述量子点发光层包括第一量子点和第二量子点，所述第二量子点的带隙宽度和所述第一量子点的带隙宽度的差值大于等于0.1eV并且小于等于1eV。

2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述第一量子点的HOMO能级低于所述空穴传输层的HOMO能级且高于所述第二量子点的HOMO能级，所述第一量子点的LUMO能级低于所述第二量子点的LUMO能级和所述电子传输层的LUMO能级。

3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述第二量子点为ZnCdS-ZnS、CdSe-ZnS和CdZnSeS-ZnS中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的有机发光器件，其特征在于，

在所述第二量子点为ZnCdS-ZnS并且所述第一量子点为CdSe-CdS时，所述第二量子点与所述第一量子点浓度的比值为1：0.5；或者

在所述第二量子点为CdSe-ZnS并且所述第一量子点为CdSe-CdS时，所述第二量子点与所述第一量子点浓度的比值为1：0.3；或者

在所述第二量子点为CdZnSeS-ZnS并且所述第一量子点为CdSe-CdS时，所述第二量子点与所述第一量子点浓度的比值为1：0.3。

5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，还包括：

设置在所述空穴传输层与所述量子点发光层之间的电子阻挡层，和/或

设置在所述量子点发光层与所述电子传输层之间的空穴阻挡层。

6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，

所述空穴注入层与所述阳极间接触面的表面粗糙度小于所述电子传输层与所述阴极间接触面的表面粗糙度，和/或

所述第一量子点的粒径大于5nm且小于等于20nm，所述第二量子点的粒径大于5nm且小于等于20nm，和/或

所述量子点发光层的厚度为其中包括的量子点的粒径的1～3倍。

7.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，

所述第一量子点为Ⅱ-Ⅵ族量子点、钙钛矿量子点、Ⅲ-Ⅴ族量子点、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点、Ⅳ-Ⅵ量子点、硅系量子点和碳量子点中的一种，

所述第二量子点为Ⅱ-Ⅵ族量子点、钙钛矿量子点、Ⅲ-Ⅴ族量子点、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点、Ⅳ-Ⅵ量子点、硅系量子点和碳量子点中的至少一种。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7中任一项所述的有机发光器件。

9.一种制作权利要求1-7中任一项所述的有机发光器件的方法，其特征在于，包括：

在基板上形成阳极，

在所述阳极上形成空穴注入层，

在所述空穴注入层上形成空穴传输层，

在所述空穴传输层上形成量子点发光层，

在所述量子点发光层上形成电子传输层，

在所述电子传输层上形成阴极，其中，

所述量子点发光层包括第一量子点和第二量子点，所述第二量子点的带隙宽度和所述第一量子点的带隙宽度的差值大于等于0.1eV并且小于等于1eV。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，

所述在所述空穴传输层上形成量子点发光层进一步包括：

在所述空穴传输层上形成电子阻挡层；

在所述电子阻挡层上形成所述量子点发光层；

和/或

所述在所述量子点发光层上形成电子传输层进一步包括：

在所述量子点发光层上形成空穴阻挡层；

在所述空穴阻挡层上形成电子传输层。